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机构
半导体研究所 [2]
采集方式
iSwitch采集 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2008 [2]
学科主题
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浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
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发表日期:2008
专题:半导体研究所
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High al-content alingan epilayers with different thicknesses grown on gan/sapphire templates
期刊论文
iSwitch采集
Applied surface science, 2008, 卷号: 255, 期号: 5, 页码: 3350-3353
作者:
Shang, J. Z.
;
Zhang, B. P.
;
Wu, C. M.
;
Cai, L. E.
;
Zhang, J. Y.
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提交时间:2019/05/12
Xps
Pl
Afm
Composition pulling effect
Alingan
Mocvd
Low threshold current density 1.3 mu m metamorphic ingaas/gaas quantum well laser diodes
期刊论文
iSwitch采集
Electronics letters, 2008, 卷号: 44, 期号: 7, 页码: 474-u6
作者:
Wu, D.
;
Wang, H.
;
Wu, B.
;
Ni, H.
;
Huang, S.
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提交时间:2019/05/12