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半导体研究所 [8]
采集方式
OAI收割 [8]
内容类型
期刊论文 [8]
发表日期
2016 [2]
2015 [1]
2006 [3]
2005 [2]
学科主题
半导体物理 [8]
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浏览/检索结果:
共8条,第1-8条
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限定条件
学科主题:半导体物理
条数/页:
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Raman spectroscopic characterization of stacking configuration and interlayer coupling of twisted multilayer graphene grown by chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
carbon, 2016, 卷号: 110, 页码: 225-231
Jiang-Bin Wu
;
Huan Wang
;
Xiao-Li Li
;
Hailin Peng
;
Ping-Heng Tan
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提交时间:2017/03/16
Monolayer Molybdenum Disulfide Nanoribbons with High Optical Anisotropy
期刊论文
OAI收割
advanced optical materials, 2016, 卷号: 4, 期号: 5, 页码: 756-762
Jiang-Bin Wu
;
Huan Zhao
;
Yuanrui Li
;
Douglas Ohlberg
;
Wei Shi
;
Wei Wu
;
Han Wang
;
Ping-Heng Tan
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2017/03/16
Interlayer Interactions in Anisotropic Atomically-thin Rhenium Diselenide
期刊论文
OAI收割
nano research, 2015, 卷号: 8, 期号: 11, 页码: 3651-3661
Huan Zhao
;
Jiangbin Wu
;
Hongxia Zhong
;
Qiushi Guo
;
Xiaomu Wang
;
Fengnian Xia
;
Li Yang
;
Pingheng Tan
;
Han Wang
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2016/03/29
Room temperature continuous wave operation of 1.33-micron InAs/GaAs quantum dot laser with high output power
期刊论文
OAI收割
chinese optics letters, 2006, 卷号: 4, 期号: 7, 页码: 413-415
作者:
Xiaohong Yang
;
Qin Han
;
Zhichuan Niu
;
Yingqiang Xu
;
Hongling Peng
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/23
Enhancement of photoluminescence intensity of GaInNAs/GaAs quantum wells by two-step rapid thermal annealing
期刊论文
OAI收割
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2579-2582
Zhao H (Zhao Huan)
;
Xu YQ (Xu Ying-Qiang)
;
Ni HQ (Ni Hai-Qiao)
;
Han Q (Han Qin)
;
Wu RH (Wu Rong-Han)
;
Niu ZC (Niu Zhi-Chuan)
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/04/11
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY
ORIGIN
1.3μm InGaAs/InAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dot Laser Diode Grown by Molecular Beam Epitaxy
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 482-488
作者:
Wu Donghai
;
Han Qin
;
Peng Hongling
;
Niu Zhichuan
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/23
快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱的影响
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 1749-1752
作者:
吴东海
;
徐应强
;
牛智川
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/23
Material Growth and Device Fabrication of GaAs Based 1.3μm GaInNAs Quantum Well Laser Diodes
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 1860-1864
作者:
Xu Yingqiang
;
Yang Xiaohong
;
Xu Yingqiang
;
Han Qin
;
Niu Zhichuan
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/11/23