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半导体研究所 [106]
采集方式
OAI收割 [100]
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内容类型
期刊论文 [103]
会议论文 [3]
发表日期
2014 [7]
2013 [1]
2012 [12]
2011 [10]
2010 [19]
2009 [17]
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学科主题
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共106条,第1-10条
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专题:半导体研究所
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Unintentionally doped semi-insulating GaN with a low dislocation density grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
journal of vacuum science & technology b, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2014, 2014, 卷号: 32, 32, 期号: 5, 页码: 051207, 051207
作者:
He, XG
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhu, JJ
;
Chen, P
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2015/03/25
Influences of polarization effect and p-region doping concentration on the photocurrent response of solar-blind p-i-n avalanche photodiodes
期刊论文
OAI收割
chinese physics b, CHINESE PHYSICS B, 2014, 2014, 卷号: 23, 23, 期号: 2, 页码: 028503, 028503
作者:
Li, XJ
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Liu, ZS
;
Chen, P
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2015/03/20
Performance comparison of front- and back-illuminated modes of the AlGaN-based p-i-n solar-blind ultraviolet photodetectors
期刊论文
OAI收割
journal of vacuum science & technology b, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2014, 2014, 卷号: 32, 32, 期号: 3, 页码: 031204, 031204
作者:
Li, XJ
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Liu, ZS
;
Chen, P
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提交时间:2015/04/02
Suppression of electron leakage by inserting a thin undoped InGaN layer prior to electron blocking layer in InGaN-based blue-violet laser diodes
期刊论文
OAI收割
optics express, OPTICS EXPRESS, 2014, 2014, 卷号: 22, 22, 期号: 10, 页码: 11392-11398, 11392-11398
作者:
Le, LC
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Yang, H
;
Chen, P
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提交时间:2015/03/25
Investigation on the compensation effect of residual carbon impurities in low temperature grown Mg doped GaN films
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 2014, 卷号: 115, 115, 期号: 16, 页码: 163704, 163704
作者:
Yang, J
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhu, JJ
;
Yang, H
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提交时间:2015/04/02
Effects of polarization and p-type GaN resistivity on the spectral response of InGaN/GaN multiple quantum well solar cells
期刊论文
OAI收割
chinese physics b, CHINESE PHYSICS B, 2014, 2014, 卷号: 23, 23, 期号: 6, 页码: 068801, 068801
作者:
Yang, J
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Liu, ZS
;
Chen, P
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提交时间:2015/04/02
Control of residual carbon concentration in GaN high electron mobility transistor and realization of high-resistance GaN grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
thin solid films, THIN SOLID FILMS, 2014, 2014, 卷号: 564, 564, 页码: 135-139, 135-139
作者:
He, XG
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Liu, ZS
;
Chen, P
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提交时间:2015/03/25
A High Power InGaN-Based Blue-Violet Laser Diode Array with a Broad-Area Stripe
期刊论文
OAI收割
chinese physics letters, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2013, 2013, 卷号: 30, 30, 期号: 10, 页码: 104205, 104205
作者:
Chen, P
;
Zhao, DG
;
Feng, MX
;
Jiang, DS
;
Liu, ZS
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提交时间:2014/04/09
Distribution of electric field and design of devices in GaN avalanche photodiodes
期刊论文
OAI收割
science china-physics mechanics & astronomy, 2012, 卷号: 55, 期号: 4, 页码: 619-624
Wu, LL
;
Zhao, DG
;
Deng, Y
;
Jiang, DS
;
Zhu, JJ
;
Wang, H
;
Liu, ZS
;
Zhang, SM
;
Zhang, BS
;
Yang, H
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提交时间:2013/03/17
Effect of light Si-doping on the near-band-edge emissions in high quality GaN
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2012, 卷号: 112, 期号: 5, 页码: 053104
Le LC (Le, L. C.)
;
Zhao DG (Zhao, D. G.)
;
Jiang DS (Jiang, D. S.)
;
Wu LL (Wu, L. L.)
;
Li L (Li, L.)
;
Chen P (Chen, P.)
;
Liu ZS (Liu, Z. S.)
;
Zhu JJ (Zhu, J. J.)
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Wang H (Wang, H.)
;
Zhang SM (Zhang, S. M.)
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Yang H (Yang, H.)
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提交时间:2013/04/02