机构

• 大连化学物理研究所 [2]
• 金属研究所 [1]
• 合肥物质科学研究院 [1]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2017 [4]

学科主题

• Chemistry,... [1]
• Materials ... [1]
• Metallurgy... [1]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2017     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 The critical role of Si doping in enhancing the stability of M6C carbides 期刊论文  OAI收割 ELSEVIER SCIENCE SA, 2017, 卷号: 728, 页码: 917-926 作者:  Jiang, Li;  Ye, Xiang-Xi;  Wang, Zhi-Qiang;  Yu, Cun;  Dong, Jia-Sheng   |  收藏  |  浏览/下载：68/0  |  提交时间：2018/01/10 Si Doping  M6c Carbides  Stability  Si K-edge Xanes  First-principles Calculations   Effect of argon flow on promoting boron doping for in-situ grown silicon nitride thin films containing silicon quantum dots 期刊论文  OAI收割 NANOTECHNOLOGY, 2017, 卷号: 28 作者:  Liu, Jia;  Liu, Bin;  Zhang, Xisheng;  Guo, Xiaojia;  Liu, Shengzhong (Frank)   |  收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2017/10/29 Si Quantum Dot  Silicon Nitride Thin Film  Pecvd  Boron-doping  Argon Dilution   H-2-Ar dilution for improved c-Si quantum dots in P-doped SiNx:H thin film matrix 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2017, 卷号: 396, 页码: 235-242 作者:  Liu, Jia;  Zhang, Weijia;  Liu, Shengzhong (Frank)   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/06/20 C-si Quantum Dot  Sinx:h Thin Film  Phosphorus-doping  Pecvd   Effect of Sn doping on improvement of minority carrier lifetime of Fe contaminated p-type multi-crystalline Si ingot 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2017, 卷号: 458, 期号: 无, 页码: 66-71 作者:  Sun, Jifei;  He, Qiuxiang;  Ban, Boyuan;  Bai, Xiaolong;  Li, Jingwei   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2017/11/23 Minority Carrier Lifetime  Doping  Impurities  Directional Solidification  Multi-crystalline Si