机构

• 半导体研究所 [7]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 期刊论文 [5]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2011 [1]
• 2010 [1]
• 2005 [1]
• 2004 [1]
• 2000 [1]
• 1999 [2]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [7]

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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Investigation of cracks in GaN films grown by combined hydride and metal organic vapor-phase epitaxial method 期刊论文  OAI收割 nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.69 作者:  Song HP;  Wei HY;  Li CM;  Jiao CM 收藏  |  浏览/下载：66/4  |  提交时间：2011/07/05 CATHODOLUMINESCENCE CHARACTERIZATION  GALLIUM NITRIDE  STRESSES  LAYERS  HETEROSTRUCTURE  DEPOSITION  CONSTANTS  MECHANISM  SAPPHIRE  STRAIN   Intrinsically limited critical temperatures of highly doped Ga1-xMnxAs thin films 期刊论文  OAI收割 physical review b, PHYSICAL REVIEW B, 2010, 2010, 卷号: 81, 81, 期号: 23, 页码: art. no. 235201, Art. No. 235201 作者:  Khazen K (Khazen Kh.);  von Bardeleben HJ (von Bardeleben H. J.);  Cantin JL (Cantin J. L.);  Mauger A (Mauger A.);  Chen L (Chen L.)   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/06/18 AMORPHOUS FERROMAGNET  Amorphous Ferromagnet  Curie-temperature  Critical-behavior  Renormalization Group  Dipolar Interactions  Critical Exponents  Magnetic Equation  Alloys  State  Semiconductors  CURIE-TEMPERATURE  CRITICAL-BEHAVIOR  RENORMALIZATION GROUP  DIPOLAR INTERACTIONS  CRITICAL EXPONENTS  MAGNETIC EQUATION  ALLOYS  STATE  SEMICONDUCTORS   Magnetron sputtering growth of InAs0.3Sb0.7 films on (100) GaAs substrates: Strong effect of growth conditions on film structure 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 285, 期号: 4, 页码: 459-465 作者:  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：304/5  |  提交时间：2010/04/11 crystal structure  magnetron sputtering  semiconducting III-V materials  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  INAS1-XSBX  ALLOYS  INASSB  INSB   Depth distribution of the strain in the GaN layer with low-temperature AlN interlayer on Si(111) substrate studied by Rutherford backscattering/channeling 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2004, 卷号: 85, 期号: 23, 页码: 5562-5564 Lu, Y; Cong, GW; Liu, XL; Lu, DC; Wang, ZG; Wu, MF 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/03/17 STRESS   Hydrogen-dependent lattice dilation in GaN 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2000, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 619-621 Zhang JP; Wang XL; Sun DZ; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12 OPTICAL-PROPERTIES  GALLIUM NITRIDE  SAPPHIRE  EPILAYERS  STRESS  SEMICONDUCTORS  ELECTRONS  SILICON  STRAIN  FILMS   High quality hydrogenated amorphous silicon films with significantly improved stability 会议论文  OAI收割 symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology-1998, at the mrs spring meeting, san francisco, ca, apr 14-17, 1998 Sheng SR; Liao XB; Ma ZX; Yue GZ; Wang YQ; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/10/29 A-SI-H  LIGHT SOAKING  PHOTOCONDUCTIVITY  INCREASE   High power continuous-wave operation of self-organized In(Ga)As/GaAs quantum dot lasers 会议论文  OAI收割 1999 ieee hong kong electron devices meeting (hkedm 99), shatin, hong kong, 36337 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/10/29