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• 半导体研究所 [15]

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• 期刊论文 [15]

发表日期

• 2009 [1]
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学科主题

• 半导体物理 [15]

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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Anomalous Pressure Behavior of N-Cluster Emissions in GaAs0.973Sb0.022N0.005 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 12, 页码: art.no.127101 Wang, WJ (Wang Wen-Jie); Deng, JJ (Deng Jia-Jun); Fu, XQ (Fu Xing-Qiu); Hu, B (Hu Bing); Ding, K (Ding Kun) 收藏  |  浏览/下载：230/52  |  提交时间：2010/03/08 TEMPERATURE-DEPENDENCE   Molecular beam epitaxy growth and photoluminescence study of room temperature 1.31 mu m (InyGa1-yAs/GaAs1-x Sb-x)/ GaAs bilayer quantum wells 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 278, 期号: 1-4, 页码: 558-563 作者:  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：109/23  |  提交时间：2010/03/17 bilayer quantum well   Magnetointersubband oscillations of the two-dimensional electron gas in AlxGa1-xN/GaN heterostructures 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2004, 卷号: 21, 期号: 5, 页码: 915-918 Jiang CP; Yang FH; Zheng HZ; Qiu ZJ; Gui YS; Guo SL; Chu JH; Shen B; Zheng YD 收藏  |  浏览/下载：193/43  |  提交时间：2010/03/09 MAGNETO-INTERSUBBAND SCATTERING   Role of different cap layers tuning the wavelength of self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of physics-condensed matter, 2003, 卷号: 15, 期号: 31, 页码: 5383-5388 Gong Z; Fang ZD; Xu XH; Miao ZH; Niu ZC; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：231/7  |  提交时间：2010/08/12 1.35 MU-M  ISLANDS  PHOTOLUMINESCENCE   Study of optical properties in GaAs1-xSbx/GaAs single quantum wells 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 7, 页码: 1761-1765 Luo XD; Bian LF; Xu ZY; Luo HL; Wang YQ; Wang JN; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：90/0  |  提交时间：2010/08/12 GaAsSb/GaAs  selectively-excited  type II transition  ROOM-TEMPERATURE  GAAS  DOTS  OPERATION   Impact of polarization on quasi-two-dimensional exciton and barrier-width dependence of the exciton associated transition in wurtzite III-V nitride quantum wells 期刊论文  OAI收割 solid state communications, 2002, 卷号: 122, 期号: 5, 页码: 287-292 Wan SP; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum wells  semiconductors  piezoelectricity  optical properties  OPTICAL-ABSORPTION  GAN  HETEROSTRUCTURES  SPECTROSCOPY  CONSTANTS  ENERGIES  LIFETIME  SPECTRA  FIELDS  INN   Anomalous temperature dependence of photoluminescence in GaInNAs/GaAs multiple quantum wells 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2002, 卷号: 19, 期号: 8, 页码: 1203-1206 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12 BAND  LUMINESCENCE  GAAS  LOCALIZATION  EMISSION  BEHAVIOR  SHIFT  INGAN   Raman scattering of nanocrystalline silicon embedded in SiO2 期刊论文  OAI收割 science in china series a-mathematics physics astronomy, 2000, 卷号: 43, 期号: 4, 页码: 414-420 Ma ZX; Liao XB; Kong GL; Chu JH 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/08/12 nanocrystalline silicon  phonon confinement effect  Raman scattering  EMITTING POROUS SILICON  MICROCRYSTALLINE SILICON  AMORPHOUS-SILICON  SPECTRUM   Blue-violet photoluminescence from large-scale highly aligned boron carbonitride nanofibers 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2000, 卷号: 77, 期号: 1, 页码: 67-69 Bai XD; Wang EG; Yu J; Yang H 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/08/12 ELECTRONIC-STRUCTURE  NITRIDE NANOTUBES  BAND-GAP  BC2N  MICROTUBULES  TUBULES   Investigation of absorption of nanocrystalline silicon 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 1999, 卷号: 16, 期号: 11, 页码: 833-835 Ma ZX; Liao XB; Kong GL; Chu JH 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/08/12 RAMAN-SPECTRA  QUANTUM