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半导体研究所 [173]
采集方式
OAI收割 [105]
iSwitch采集 [68]
内容类型
期刊论文 [163]
会议论文 [10]
发表日期
2013 [1]
2012 [1]
2011 [8]
2010 [4]
2009 [4]
2008 [1]
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学科主题
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浏览/检索结果:
共173条,第1-10条
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专题:半导体研究所
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In situ accurate control of 2D-3D transition parameters for growth of low-density InAs/GaAs self-assembled quantum dots
期刊论文
OAI收割
nanoscale research letters, Nanoscale Research Letters, 2013, 2013, 卷号: 8, 8, 期号: 1, 页码: 86, 86
作者:
Li MF(李密锋)
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提交时间:2013/06/03
InAs quantum dots
Sacrificed InAs layer
Molecular beam epitaxy
Reflection high-energy electron
Inas Quantum Dots
Sacrificed Inas Layer
Molecular Beam Epitaxy
Reflection High-energy Electron
Enhancement in the Light Output Power of GaN-Based Light-Emitting Diodes with Nanotextured Indium Tin Oxide Layer Using Self-Assembled Cesium Chloride Nanospheres
期刊论文
OAI收割
japanese journal of applied physics, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012, 2012, 卷号: 51, 51, 期号: 2,part 1, 页码: 20204, 20204
作者:
Zhang, YY
;
Li, J
;
Wei, TB
;
Liu, J
;
Yi, XY
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2013/03/17
Growth simulations of self-assembled nanowires on stepped substrates
期刊论文
iSwitch采集
Ieee journal of selected topics in quantum electronics, 2011, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 960-965
作者:
Liang, Song
;
Kong, Duanhua
;
Zhu, Hongliang
;
Wang, Wei
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
Kinetic monte carlo (kmc) simulations
Self-assembled nanowires
Stepped substrates
L1(0) fept nanoparticles with distinct perpendicular magnetic anisotropy prepared on au buffer layers by a micellar method
期刊论文
iSwitch采集
Journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 11, 页码: 5
作者:
Gao, Y.
;
Zhang, X. W.
;
Yin, Z. G.
;
Si, F. T.
;
Bai, Y. M.
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/05/12
Redshift and discrete energy level separation of self-assembled quantum dots induced by strain-reducing layer
期刊论文
iSwitch采集
Journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 6, 页码: 5
作者:
Gu, Yongxian
;
Yang, Tao
;
Ji, Haiming
;
Xu, Pengfei
;
Wang, Zhanguo
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/05/12
Anomalous temperature dependence of photoluminescence in inas/inalgaas/inp quantum wire and dot hybrid nanostructures
期刊论文
iSwitch采集
Chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: 3
作者:
Yang Xin-Rong
;
Xu Bo
;
Wang Hai-Fei
;
Zhao Guo-Qing
;
Shi Shu-Hui
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/05/12
Anomalous Temperature Dependence of Photoluminescence in InAs/InAlGaAs/InP Quantum Wire and Dot Hybrid Nanostructures
期刊论文
OAI收割
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: article no.27801
作者:
Xu B
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浏览/下载:51/3
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提交时间:2011/07/05
CONTINUOUS-WAVE OPERATION
EMISSION
LASERS
WAVELENGTH
EXCITONS
ENERGY
Redshift and discrete energy level separation of self-assembled quantum dots induced by strain-reducing layer
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 6, 页码: article no.64320
作者:
Yang T
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浏览/下载:53/5
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提交时间:2011/07/05
PHOTOLUMINESCENCE
EMISSION
INALAS
Study of molecular-beam epitaxy growth on patterned GaAs (1 0 0) substrates by masked indium ion implantation
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 572-575
作者:
Xu B
;
Jin P
;
Ye XL
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浏览/下载:63/1
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提交时间:2011/07/05
Atom force microscopy
Nanostructures
Molecular-beam epitaxy
Nanomaterials
Semiconducting gallium arsenide
QUANTUM-DOTS
ANODIC ALUMINA
ARRAYS
PLACEMENT
INAS
Growth Simulations of Self-Assembled Nanowires on Stepped Substrates
期刊论文
OAI收割
ieee journal of selected topics in quantum electronics, 2011, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 960-965
Liang S
;
Kong DH
;
Zhu HL
;
Wang W
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2012/02/06
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
QUANTUM DOTS
SURFACE MIGRATION
FABRICATION
GAAS(100)
ISLANDS
WIRES