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• 半导体研究所 [11]

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• OAI收割 [11]

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• 期刊论文 [11]

发表日期

• 2013 [1]
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学科主题

• 半导体物理 [11]

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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 存缴方式：oaiharvest    学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Modulation of Fermi velocities of Dirac electrons in single layer graphene by moire superlattice 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 2013, 卷号: 103, 103, 期号: 11, 页码: 113106 - 113106-5, 113106 - 113106-5 作者:  Zou, Q;  Belle, BD;  Zhang, LZ;  Xiao, WD;  Yang, K   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2014/03/26 Measuring spin diffusion of electrons in bulk n-GaAs using circularly dichromatic absorption difference spectroscopy of spin gratings 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 20, 页码: art. no. 202109 Yu HL; Zhang XM; Wang PF; Ni HQ; Niu ZC; Lai TS 收藏  |  浏览/下载：53/4  |  提交时间：2010/03/08 circular dichroism  diffraction gratings  diffusion  gallium arsenide  homodyne detection  III-V semiconductors  spin dynamics  spin polarised transport   High responsivity resonant-cavity-enhanced InGaAs/GaAs quantum-dot photodetector for wavelength of similar to 1 mu m at room temperature 期刊论文  OAI收割 electronics letters, 2009, 卷号: 45, 期号: 6, 页码: 329-330 作者:  Zhu H;  Liu J 收藏  |  浏览/下载：252/78  |  提交时间：2010/03/08 PHOTODIODE   Greatly enhanced resonant tunneling of photo-excited holes in a three-barrier resonant tunneling structure 期刊论文  OAI收割 journal of infrared and millimeter waves, 2007, 卷号: 26, 期号: 2, 页码: 81-84 Zhu, H (Zhu Hui); Zheng, HZ (Zheng Hou-Zhi); Li, GR (Li Gui-Rong); Tan, PH (Tan Ping-Heng); Gan, HD (Gan Hua-Dong); Xu, P (Xu Ping); Zhang, F (Zhang Fei); Zhang, H (Zhang Hao); Xiao, WB (Xiao Wen-Bo); Sun, XM (Sun Xiao-Ming) 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/03/29 photo-excitation   Metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetector based on GaN 期刊论文  OAI收割 science in china series g-physics astronomy, 2003, 卷号: 46, 期号: 2, 页码: 198-203 Wang J; Zhao DA; Liu ZS; Feng G; Zhu JJ; Shen XM; Zhang BS; Yang H 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  MSM  ultraviolet photodetector  responsivity  LOW-NOISE  DETECTORS  PHOTODIODES  SI(111)  GAIN   Thickness measurement of GaN epilayer using high resolution X-ray diffraction technique 期刊论文  OAI收割 science in china series g-physics astronomy, 2003, 卷号: 46, 期号: 4, 页码: 437-440 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：198/6  |  提交时间：2010/08/12 GaN  x-ray diffraction  thickness  SAPPHIRE  GROWTH  FILMS   Design of high brightness cubic-GaN LEDs grown on GaAs substrate 期刊论文  OAI收割 journal of the korean physical society, 2003, 卷号: 42, 期号: 0, 页码: s753-s756 作者:   收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 wafer bunding  cubic GaN  LIGHT-EMITTING-DIODES  FIELD-EFFECT TRANSISTOR  SINGLE-CRYSTAL GAN  MICROWAVE PERFORMANCE  MIRROR  JUNCTION   Mechanisms of the sidewall facet evolution in lateral epitaxial overgrowth of GaN by MOCVD 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2002, 卷号: 35, 期号: 21, 页码: 2731-2734 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12 VAPOR-PHASE EPITAXY  DEPOSITION  LAYERS  FILMS   Thermal annealing behaviour of Ni/Au on n-GaN Schottky contacts 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2002, 卷号: 35, 期号: 20, 页码: 2648-2651 作者:  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/08/12 RESISTANCE OHMIC CONTACTS  FIELD-EFFECT TRANSISTOR  SINGLE-CRYSTAL GAN  MICROWAVE PERFORMANCE  STABILITY  BARRIER  DIODES   GaInNAs/GaAs multiple-quantum well resonant-cavity-enhanced photodetectors at 1.3 mu m 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 9, 页码: 1249-1251 作者:  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：103/13  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GROWTH  WAVELENGTH  GAAS