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半导体研究所 [24]
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学科主题:光电子学
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高性能硅基锗光电探测器的研制
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
薛海韵
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提交时间:2011/06/01
硅基光子学
硅基锗光电探测器
吸收区倍增区分离的雪崩光电二极管
共振腔增强型
波导型
一种测量p-GaN载流子浓度的方法
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 3, 页码: 721-728
作者:
赵德刚
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提交时间:2011/08/16
硅基室温电流注入Ge/Si异质结发光二极管
期刊论文
OAI收割
激光与光电子学进展, 2010, 卷号: 47, 期号: 3, 页码: 14-14
作者:
苏少坚
;
薛春来
;
胡炜玄
;
成步文
;
薛海韵
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提交时间:2011/08/16
器件参数对GaN基n+-GaN/i-Alx Ga1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2010, 卷号: 59, 期号: 12, 页码: 8903-8909
作者:
江德生
;
朱建军
;
张书明
;
邓懿
;
吴亮亮
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提交时间:2011/08/16
SOI基垂直入射Ge PIN光电探测器的研制
期刊论文
OAI收割
光电子·激光, 2010, 卷号: 21, 期号: 11, 页码: 1609-1613
周志文
;
贺敬凯
;
王瑞春
;
李成
;
余金中
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提交时间:2011/08/16
以弱p型为有源区的新型p-n结构GaN紫外探测器
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 10, 页码: 7255-7260
作者:
赵德刚
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提交时间:2010/11/23
结构参数对GaN肖特基紫外探测器性能的影响及器件设计
期刊论文
OAI收割
发光学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 6, 页码: 824-831
作者:
赵德刚
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提交时间:2010/11/23
基于silica波导光栅的单纤三向器的混合集成研究
期刊论文
OAI收割
光电子·激光, 2009, 卷号: 20, 期号: 11, 页码: 1422-1425
作者:
安俊明
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提交时间:2010/11/23
双色量子阱红外探测器顶部光子晶体耦合层的设计优化
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2008, 卷号: 57, 期号: 3, 页码: 1730-1736
作者:
陈良惠
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提交时间:2010/11/23
微电子与光电子集成技术
专著
OAI收割
北京:电子工业出版社, 北京, 2008
陈弘达
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提交时间:2009/09/19