中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [7]
采集方式
OAI收割 [7]
内容类型
期刊论文 [6]
会议论文 [1]
发表日期
2011 [1]
2009 [2]
2005 [1]
1999 [1]
1995 [1]
1993 [1]
更多
学科主题
半导体材料 [7]
筛选
浏览/检索结果:
共7条,第1-7条
帮助
限定条件
学科主题:半导体材料
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
ZnO-Bi2O3-based varistor ceramics prepared by direct high-energy ball milling of the dopants
期刊论文
OAI收割
proceedings of 2011 international conference on electronic and mechanical engineering and information technology, emeit 2011, 2011, 卷号: 2, 页码: 713-716
Xu, Dong
;
Wang, Biao
;
Li, Mingshuang
;
Ye, Xiao
收藏
  |  
浏览/下载:81/0
  |  
提交时间:2012/06/14
Ceramic materials
Current voltage characteristics
Electric properties
High energy physics
Information technology
Mechanical engineering
Mechanical properties
Microstructure
Milling(machining)
Milling machines
Threshold voltage
Varistors
Zinc oxide
In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD
会议论文
OAI收割
international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007
Sun, GS
;
Zhao, YM
;
Wang, L
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Liu, XF
;
Ji, G
;
Zeng, YP
收藏
  |  
浏览/下载:40/0
  |  
提交时间:2010/03/09
in-situ doping
boron
aluminum
memory effects
hot-wall LPCVD
4H-SiC
Narrowing of band gap and low-temperature spin glass behavior of FeNi co-doped ZnO nanowires
期刊论文
OAI收割
epl, 2009, 卷号: 87, 期号: 5, 页码: art. no. 57004
Iqbal J
;
Liu XF
;
Majid A
;
Yu DP
;
Yu RH
收藏
  |  
浏览/下载:92/34
  |  
提交时间:2010/03/08
ROOM-TEMPERATURE
PHOTOLUMINESCENCE
FERROMAGNETISM
FILMS
SPINTRONICS
PRINCIPLES
Synthesis and luminescence of ZnMgS : Mn2+ nanoparticles
期刊论文
OAI收割
journal of nanoscience and nanotechnology, 2005, 卷号: 5, 期号: 9, 页码: 1465-1471
Zhang J
;
Su FH
;
Chen W
;
Sammynaiken R
;
Westcott SL
;
McCready DE
;
Li GH
;
Joly AG
收藏
  |  
浏览/下载:138/30
  |  
提交时间:2010/03/17
ZnMgS : Mn2+ nanoparticles
p-type co-doping study of GaN by photoluminescence
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 197, 期号: 1-2, 页码: 368-371
Zhang JP
;
Sun DZ
;
Wang XL
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
收藏
  |  
浏览/下载:34/0
  |  
提交时间:2010/08/12
p-type co-doping
photoluminescence
acceptor ionization energy
IMPLANTED GAN
TRANSITIONS
ENERGY
GALLIUM NITRIDE
Analysis of Dopant distributions in LEC-InP
期刊论文
OAI收割
crystal research and technology, 1995, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 1169-1178
Wei J
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2010/11/17
DIFFUSION
GROWTH
ZN
EXCIMER-LASER DOPING OF SPIN-ON DOPANT IN SILICON
期刊论文
OAI收割
applied surface science, 1993, 卷号: 64, 期号: 3, 页码: 259-263
WONG YW
;
YANG XQ
;
CHAN PW
;
TONG KY
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2010/11/15
REACTIVE ATMOSPHERE
BORON
IRRADIATION
SEMICONDUCTORS
JUNCTIONS