机构

• 半导体研究所 [7]

采集方式

• OAI收割 [4]
• iSwitch采集 [3]

内容类型

• 期刊论文 [7]

发表日期

• 2010 [2]
• 2009 [2]
• 2002 [2]
• 1993 [1]

学科主题

• 半导体材料 [2]
• 半导体物理 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Band-tail shape and transport near the metal-insulator transition in si-doped al0.3ga0.7as 期刊论文  iSwitch采集 Physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 12, 页码: 6 作者:  Misuraca, Jennifer;  Trbovic, Jelena;  Lu, Jun;  Zhao, Jianhua;  Ohno, Yuzo 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Band-tail shape and transport near the metal-insulator transition in Si-doped 期刊论文  OAI收割 physical review b, PHYSICAL REVIEW B, 2010, 2010, 卷号: 82, 82, 期号: 12, 页码: art. no. 125202, Art. No. 125202 作者:  Misuraca J (Misuraca Jennifer);  Trbovic J (Trbovic Jelena);  Lu J (Lu Jun);  Zhao JH (Zhao Jianhua);  Ohno Y (Ohno Yuzo)   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/10/11 PERSISTENT PHOTOCONDUCTIVITY  Persistent Photoconductivity  Dx Centers  Alxga1-xas  Gaas  Semiconductors  DX CENTERS  ALXGA1-XAS  GAAS  SEMICONDUCTORS   Low-temperature magnetotransport behaviors of heavily mn-doped (ga,mn)as films with high ferromagnetic transition temperature 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 18, 页码: 3 作者:  Chen, L.;  Yan, S.;  Xu, P. F.;  Lu, J.;  Wang, W. Z. 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Annealing  Curie temperature  Doping profiles  Electrical resistivity  Ferromagnetic materials  Gallium arsenide  Gallium compounds  Galvanomagnetic effects  Hopping conduction  Iii-v semiconductors  Manganese compounds  Semiconductor doping  Semiconductor thin films  Semimagnetic semiconductors   Low-temperature magnetotransport behaviors of heavily Mn-doped (Ga,Mn)As films with high ferromagnetic transition temperature 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 18, 页码: art.no.182505 作者:  Chen L;  Qian X 收藏  |  浏览/下载：84/39  |  提交时间：2010/03/08 annealing   Study of gan thin films grown on vicinal sic (0001) substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Semiconductor science and technology, 2002, 卷号: 17, 期号: 9, 页码: 957-960 作者:  Lu, LW;  Yan, H;  Yang, CL;  Xie, MH;  Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Study of GaN thin films grown on vicinal SiC (0001) substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2002, 卷号: 17, 期号: 9, 页码: 957-960 Lu LW; Yan H; Yang CL; Xie MH; Wang ZG; Wang J; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 PHOTOLUMINESCENCE  ENERGY   KINEMATICAL STUDY OF GEXSI1-X/SI STRAINED-LAYER SUPERLATTICE BY A DOUBLE CRYSTAL X-RAY-DIFFRACTION METHOD 期刊论文  OAI收割 philosophical magazine letters, 1993, 卷号: 67, 期号: 1, 页码: 1-7 DUAN XF; WANG YT; SHENG C; OUYANG JT 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15 BEAM ELECTRON-DIFFRACTION