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• 微电子研究所 [3]

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• OAI收割 [3]

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• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2018 [3]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2018    专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 High-Temperature-Recessed Millimeter-Wave AlGaN/GaN HEMTs With 42.8% Power-Added-Efficiency at 35 GHz 期刊论文  OAI收割 IEEE Electron Device Letters, 2018 作者:  Zheng YK(郑英奎);  Liu GG(刘果果);  Chen XJ(陈晓娟);  Wang XH(王鑫华);  Huang S(黄森)   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/04/19 Evolution of traps in TiN/O 3 -sourced Al 2 O 3 /GaN gate structures with thermal annealing temperature 期刊论文  OAI收割 Journal of Vacuum Science & Technology B, 2018 作者:  Xiang JJ(项金娟);  Liu XY(刘新宇);  Huang S(黄森);  Bao QL(包琦龙);  Wang XH(王鑫华)   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/04/19 Short-Term and Long-Term Plasticity Mimicked in Low-Voltage Ag/GeSe/TiN Electronic Synapse 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018 作者:  Yi Sun;  Hui Xu;  Sen Liu;  Bing Song;  Haijun Liu   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/04/10