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• 微电子研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 会议论文 [4]

发表日期

• 2018 [2]
• 2016 [1]
• 2013 [1]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 内容类型：会议论文    专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Constant voltage stress characterization of nFinFET transistor during total ionizing dose experiment 会议论文  OAI收割 作者:  Li BH(李彬鸿);  Huang Y(黄杨);  J.Wu;  Huang YB(黄云波);  Li B(李博)   |  收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2019/05/13 Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs 会议论文  OAI收割 作者:  Li B(李博);  Huang YB(黄云波);  L.Yang;  Zhang QZ(张青竹);  Zheng ZS(郑中山)   |  收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2019/05/13 FOI FinFET with Ultra-low Parasitic Resistance Enabled by Fully Metallic Source and Drain Formation on Isolated Bulk-Fin 会议论文  OAI收割 作者:  Wu ZH(吴振华);  Luo J(罗军);  Meng LK(孟令款);  Zhang QZ(张青竹);  Li YD(李昱东)   |  收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2017/05/19 Channel Hot-Carrier Degradation Characteristics and Trap Activities of High-k/Metal Gate nMOSFETs 会议论文  OAI收割 作者:  Wang WW(王文武);  Luo WC(罗维春);  Yang H(杨红)   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2014/10/30