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半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1994054826B2, 申请日期: 1994-07-20, 公开日期: 1994-07-20
作者:  ▲崎▼山 肇;  田中 治夫;  虫上 雅人
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Strain quantum well type semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1992132288A, 申请日期: 1992-05-06, 公开日期: 1992-05-06
作者:  ISHIKAWA MAKOTO
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Semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1990194586A, 申请日期: 1990-08-01, 公开日期: 1990-08-01
作者:  SAKIYAMA HAJIME;  TANAKA HARUO;  MUSHIGAMI MASAHITO
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- 专利  OAI收割
专利号: JP1989037873B2, 申请日期: 1989-08-09, 公开日期: 1989-08-09
作者:  MUSHIGAMI MASAHITO;  TANAKA HARUO;  ISHIDA JUJI
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