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  • 1986 [13]
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Driving device for semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1986217080A, 申请日期: 1986-09-26, 公开日期: 1986-09-26
作者:  HORIBATAKE KATSUSHI
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13
Planar type semiconductor device 专利  OAI收割
专利号: JP1986179573A, 申请日期: 1986-08-12, 公开日期: 1986-08-12
作者:  
  |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/31
Controller of semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1986162827A, 申请日期: 1986-07-23, 公开日期: 1986-07-23
作者:  YOSHIMOTO KYOSUKE;  ITO OSAMU
  |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/31
Semiconductor laser power control circuit 专利  OAI收割
专利号: JP1986047682A, 申请日期: 1986-03-08, 公开日期: 1986-03-08
作者:  SENOO HIROMI;  ARAI SHINICHI
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31
Evaluation of semiconductor crystal wafer 专利  OAI收割
专利号: JP1986039596A, 申请日期: 1986-02-25, 公开日期: 1986-02-25
作者:  YAMAGUCHI AKIO
  |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/31
Semiconductor structure 专利  OAI收割
专利号: JP1986018192A, 申请日期: 1986-01-27, 公开日期: 1986-01-27
作者:  FUKUZAWA TADASHI;  MATSUNAGA NOBUTOSHI;  OOYU SHIZUNORI;  MATSUMURA HIROYOSHI;  NAKAMURA HITOSHI
  |  收藏  |  浏览/下载：67/0  |  提交时间：2020/01/18
A COMPLETE GALAXY REDSHIFT SAMPLE .3. METHODS AND CATALOG 期刊论文  OAI收割
MONTHLY NOTICES OF THE ROYAL ASTRONOMICAL SOCIETY, 1986, 卷号: 221, 期号: 1, 页码: 233-255
作者:  ELLIS, RS;  FONG, R;  BEAN, AJ;  SHANKS, T;  EFSTATHIOU, G
  |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2012/08/28
MEASUREMENT OF THERMAL-DIFFUSIVITY BY THE FLASH METHOD FOR A 2-LAYER COMPOSITE SAMPLE IN THE CASE OF TRIANGULAR PULSE 期刊论文  OAI收割
International Journal of Thermophysics, 1986, 卷号: 7, 期号: 4, 页码: 803-810
X. Z. Zhang; G. H. He; Z. Wei; B. L. Zhou
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2012/04/14
A NEW APPROACH TO SAMPLE FUSION IN ARGON EXTRACTION SYSTEM 期刊论文  OAI收割
SCIENTIA GEOLOGICA SINICA, 1986, 期号: 2, 页码: 194-199
作者:  JIANG, WY;  HU, SL
  |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2018/09/26