机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• iSwitch采集 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2008 [1]
• 2002 [1]
• 1999 [1]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Microstructure and optical properties of nonpolar m-plane gan films grown on m-plane sapphire by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Japanese journal of applied physics, 2008, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 3346-3349 作者:  Wei, Tongbo;  Duan, Ruifei;  Wang, Junxi;  Li, Jinmin;  Huo, Ziqiang 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Hvpe  Gan  Sapphire  Nonpolar  Semipolar   Structural characterization of epitaxial lateral overgrown gan on patterned gan/gaas(001) substrates 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2002, 卷号: 246, 期号: 1-2, 页码: 69-72 作者:  Shen, XM;  Fu, Y;  Feng, G;  Zhang, BS;  Feng, ZH 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Transmission electron microscopy  X-ray diffraction  Epitaxial lateral overgrowth  Metalorganic vapor phase epitaxy  Cubic gallium nitride   Effect of si doping on cubic gan films grown on gaas(100) 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 206, 期号: 1-2, 页码: 150-154 作者:  Xu, DP;  Yang, H;  Li, JB;  Li, SF;  Wang, YT 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Cubic  Hexagonal  Photoluminescence  Xrd