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	Investigation of catalyst-assisted growth of nonpolar GaN nanowires via a modified HVPE process 期刊论文 OAI收割 NANOSCALE, 2020, 卷号: 12, 期号: 7, 页码: 4393-4399 作者: Zhang, Cai; Liu, Xiaoyuan; Li, Jing; Zhang, Xinglai; Yang, Wenjing \| 收藏 \| 浏览/下载：4/0 \| 提交时间：2021/02/03
	Suppressing the luminescence of V cation -related point -defect in AlGaN grown by MOCVD on HVPE-AlN 期刊论文 OAI收割 Applied Surface Science, 2020, 卷号: 520, 页码: 9 作者: K. Jiang,X. J. Sun,J. W. Ben,Z. M. Shi,Y. P. Jia,Y. Chen,S. L. Zhang,T. Wu,W. Lu and D. B. Li \| 收藏 \| 浏览/下载：19/0 \| 提交时间：2021/07/06
	Analysis of the back-barrier effect in AlGaN/GaN high electron mobility transistor on free-standing GaN substrates 期刊论文 OAI收割 Journal of Alloys and Compounds, 2020, 卷号: 814, 页码: 6 作者: X. K. Liu, H. Y. Wang, H. C. Chiu, Y. X. Chen, D. B. Li, C. R. Huang, H. L. Kao, H. C. Kuo and S. W. H. Chen \| 收藏 \| 浏览/下载：17/0 \| 提交时间：2021/07/06
	具有(20-2-1)面的半极性氮化镓的外延层专利 OAI收割专利号: CN209029404U, 申请日期: 2019-06-25, 公开日期: 2019-06-25 作者: 陈辰; 宋杰; 崔周源 \| 收藏 \| 浏览/下载：10/0 \| 提交时间：2019/12/26
	具有(20-2-1)面的半极性氮化镓的外延层专利 OAI收割专利号: CN209029404U, 申请日期: 2019-06-25, 公开日期: 2019-06-25 作者: 陈辰; 宋杰; 崔周源 \| 收藏 \| 浏览/下载：15/0 \| 提交时间：2019/12/26
	水平三层流 HVPE反应室流场和热场数值模拟计算研究学位论文 OAI收割中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019 作者: 胡君 \| 收藏 \| 浏览/下载：14/0 \| 提交时间：2019/11/19
	AlGaN材料类同质外延生长及日盲紫外探测器研究学位论文 OAI收割中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019 作者: 蒋科 \| 收藏 \| 浏览/下载：44/0 \| 提交时间：2020/08/24 AlN AlGaN 类同质外延日盲紫外探测器
	具有(20-2-1)面的半极性氮化镓的外延层及其制造方法专利 OAI收割专利号: CN109378369A, 申请日期: 2019-02-22, 公开日期: 2019-02-22 作者: 陈辰; 宋杰; 崔周源 \| 收藏 \| 浏览/下载：11/0 \| 提交时间：2020/01/18
	Suppressing the compositional non-uniformity of AlGaN grown on a HVPE-AlN template with large macro-steps 期刊论文 OAI收割 Crystengcomm, 2019, 卷号: 21, 期号: 33, 页码: 4864-4873 作者: K.Jiang; X.J.Sun; J.W.Ben; Z.M.Shi; Y.P.Jia \| 收藏 \| 浏览/下载：27/0 \| 提交时间：2020/08/24 potential fluctuations,gan films,alxga1-xn,sapphire,quality,localization,relaxation,inversion