机构

• 半导体研究所 [11]

采集方式

• OAI收割 [11]

内容类型

• 期刊论文 [9]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2012 [1]
• 2009 [1]
• 2008 [2]
• 2006 [1]
• 2002 [1]
• 2001 [1]
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学科主题

• 半导体材料 [11]

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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Investigation of the temperature sensitivity of the long-wavelength InP-based laser 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2012, 卷号: 61, 期号: 21, 页码: 216802 Yang Xin-Rong; Xu Bo; Zhao Guo-Qing; Shen Xiao-Zhi; Shi Shu-Hui; Li Jie; Wang Zhan-Guo 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/10/10 Temperature dependent spectral response characteristic of III-V compound tandem cell 期刊论文  OAI收割 chinese science bulletin, 2009, 卷号: 54, 期号: 3, 页码: 353-357 作者:  Wang Y 收藏  |  浏览/下载：411/35  |  提交时间：2010/03/08 spectral response  tandem cell  temperature coefficient   Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode 会议论文  OAI收割 34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007 Wang, XH; Wang, XL; Xiao, HL; Feng, C; Wang, XY; Wang, BZ; Yang, CB; Wang, JX; Wang, CM; Ran, JX; Hu, GX; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/03/09 GAS SENSORS  HEMT STRUCTURES  MOBILITY  TEMPERATURE  TRANSISTORS  GROWTH  MOCVD  LAYER   Fracture Properties of LPCVD Silicon Nitride and Thermally Grown Silicon Oxide Thin Films From the Load-Deflection of Long Si3N4 and SiO2/Si3N4 Diaphragms 期刊论文  OAI收割 journal of microelectromechanical systems, 2008, 卷号: 17, 期号: 5, 页码: 1120-1134 Yang, JL; Gaspar, J; Paul, O 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/03/08 Bulge test  fracture  pooled Weibull analysis  silicon nitride (Si3N4)  silicon oxide (SiO2)   Anomalous temperature dependence of photoluminescence peak energy in InAs/InAlAs/InP quantum dots 期刊论文  OAI收割 solid state communications, 2006, 卷号: 137, 期号: 11, 页码: 606-610 作者:  Jin P;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：100/0  |  提交时间：2010/04/11 nanostructures  semiconductors  optical properties  luminescence  WAVELENGTH  NANOSTRUCTURES  INTERBAND  LASERS   Thermally stable chromophores for nonlinear optical applications 期刊论文  OAI收割 materials research bulletin, 2002, 卷号: 37, 期号: 3, 页码: 523-531 Pan QW; Fang CS; Li F; Zhang ZY; Qin ZH; Wu XW; Gu QT; Yu JZ 收藏  |  浏览/下载：87/5  |  提交时间：2010/08/12 optical materials  organic compounds  differential scanning calorimetry  optical properties  2ND-ORDER   Modification of emission wavelength of self-assembled In(Ga)As/GaAs quantum dots covered by InxGa1-xAs(0 <= x <= 0.3) layer 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 1062-1068 Niu ZC; Wang XD; Miao ZH; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：77/6  |  提交时间：2010/08/12 crystal morphology  quantum dots  molecular beam epitaxy  semiconducting gallium arsenide  semiconducting indium gallium arsenide  1.35 MU-M  GAAS-SURFACES  PHOTOLUMINESCENCE  ISLANDS   Photocurrent derivative spectra of ZnCdSe-ZnSe double multi-quantum wells 会议论文  OAI收割 40th electronic materials conference (emc-40), charlottesville, virginia, jun 24-26, 1998 作者:  Zhang JY;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/15 double multi-quantum wells  photocurrent spectra  ZnCdSe-ZnSe  SPECTROSCOPY  PHOTOLUMINESCENCE  HETEROSTRUCTURES  PHOTODETECTORS   Photocurrent derivative spectra of ZnCdSe-ZnSe double multi-quantum wells 期刊论文  OAI收割 journal of electronic materials, 1999, 卷号: 28, 期号: 5, 页码: 563-566 作者:  Zhang JY;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 double multi-quantum wells  photocurrent spectra  ZnCdSe-ZnSe  PHOTOLUMINESCENCE  HETEROSTRUCTURES  PHOTODETECTORS  SPECTROSCOPY   Measurement of trace phosphorus in dichlorosilane by high-temperature hydrogen reduction gas chromatography 期刊论文  OAI收割 journal of chromatography a, 1997, 卷号: 757, 期号: 0, 页码: 319-323 Wen RM; Liang JW; Zhou SJ; Zhau ZH 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/17 hydrogen reduction  dichlorosilane  phosphorus