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半导体研究所 [66]
采集方式
OAI收割 [45]
iSwitch采集 [21]
内容类型
期刊论文 [63]
会议论文 [3]
发表日期
2018 [2]
2016 [2]
2014 [1]
2011 [4]
2010 [6]
2009 [3]
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共66条,第1-10条
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专题:半导体研究所
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Stacking Effects on Electron–Phonon Coupling in Layered Hybrid Perovskites via Microstrain Manipulation
期刊论文
OAI收割
ACS NANO, 2020, 卷号: 14, 期号: 5, 页码: 5806-5817
作者:
Qin Du
;
Cheng Zhu
;
Zixi Yin
;
Guangren Na
;
Chuantong Cheng
;
Ying Han
;
Na Liu
;
Xiuxiu Niu
;
Huanping Zhou
;
Hongda Chen
;
Lijun Zhang
;
Shengye Jin
;
Qi Chen
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提交时间:2021/06/17
Identifying the stacking order of multilayer graphene grown by chemical vapor deposition via Raman spectroscopy
期刊论文
OAI收割
Journal of Raman Spectroscopy, 2018, 卷号: 49, 期号: 1, 页码: 46-53
作者:
Miao-Ling Lin
;
Tao Chen
;
Wei Lu
;
Qing-Hai Tan
;
Pei Zhao
;
Hong-Tao Wang
;
Yang Xu
;
Ping-Heng Tan
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提交时间:2019/11/12
Out of plane stacking of InSe-based heterostructures towards high performance electronic and optoelectronic devices using a graphene electrode
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2018, 卷号: 6, 期号: 46, 页码: 12433–12760
作者:
Gao Wei
;
Zheng Zhaoqiang
;
Li Yongtao
;
Xia Congxin
;
Du Juan
;
Zhao Yu
;
Li Jingbo
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提交时间:2019/11/15
Raman spectroscopic characterization of stacking configuration and interlayer coupling of twisted multilayer graphene grown by chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
carbon, 2016, 卷号: 110, 页码: 225-231
Jiang-Bin Wu
;
Huan Wang
;
Xiao-Li Li
;
Hailin Peng
;
Ping-Heng Tan
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提交时间:2017/03/16
Low-Temperature and Ultrafast Synthesis of Patternable Few-Layer Transition Metal Dichacogenides with Controllable Stacking Alignment by a Microwave-Assisted Selenization Process
期刊论文
OAI收割
chemistry of materials, 2016, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 1147-1154
Yu-Ze Chen
;
Henry Medina
;
Sheng-Wen Wang
;
Teng-Yu Su
;
Jian-Guang Li
;
Wen-Chun Yen
;
Kai-Yuan Cheng
;
Hao-Chung Kuo
;
Guozhen Shen
;
Yu-Lun Chueh
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提交时间:2017/03/16
Vapor Phase Growth and Imaging Stacking Order of Bilayer Molybdenum Disulfide
期刊论文
OAI收割
journal of physical chemistry c, 2014, 卷号: 118, 期号: 17, 页码: 9203-9208
Yang, SX
;
Kang, J
;
Yue, Q
;
Yao, K
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提交时间:2015/08/21
Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane gan revealed by selective etching
期刊论文
iSwitch采集
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145
作者:
Wei, T. B.
;
Yang, J. K.
;
Hu, Q.
;
Duan, R. F.
;
Huo, Z. Q.
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/05/12
Cl
Pl
Stacking fault
Hvpe
Gan
Nonpolar
First principles study of the electronic properties of twinned sic nanowires
期刊论文
iSwitch采集
Journal of nanoparticle research, 2011, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 185-191
作者:
Wang, Zhiguo
;
Wang, Shengjie
;
Zhang, Chunlai
;
Li, Jingbo
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提交时间:2019/05/12
Twinned sic nanowires
Electronic properties
Ab initio
Modeling and simulation
First principles study of the electronic properties of twinned SiC nanowires
期刊论文
OAI收割
journal of nanoparticle research, JOURNAL OF NANOPARTICLE RESEARCH, 2011, 2011, 卷号: 13, 13, 期号: 1, 页码: 185-191, 185-191
作者:
Wang ZG
;
Wang SJ
;
Zhang CL
;
Li JB
;
Wang, ZG, Univ Elect Sci & Technol China. , Dept Appl Phys, Chengdu 610054, Peoples R China. zgwang@uestc.edu.cn
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提交时间:2011/07/05
Twinned SiC nanowires
Electronic properties
Ab initio
Modeling and simulation
SILICON-CARBIDE NANOWIRES
FIELD-EMISSION PROPERTIES
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INAS NANOWIRES
GROWTH
NANOTUBES
NITRIDE
DIFFUSION
NANORODS
ENERGY
Twinned Sic Nanowires
Electronic Properties
Ab Initio
Modeling And Simulation
Silicon-carbide Nanowires
Field-emission Properties
Molecular-beam Epitaxy
Inas Nanowires
Growth
Nanotubes
Nitride
Diffusion
Nanorods
Energy
Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 2011, 卷号: 314, 314, 期号: 1, 页码: 141-145, 141-145
作者:
Wei TB
;
Yang JK
;
Hu Q
;
Duan RF
;
Huo ZQ
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浏览/下载:79/4
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提交时间:2011/07/05
CL
PL
Stacking fault
HVPE
GaN
Nonpolar
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ACCEPTOR PAIR EMISSION
PHASE EPITAXY
GROWN GAN
SEMICONDUCTORS
SAPPHIRE
FILMS
NITRIDE
Cl
Pl
Stacking Fault
Hvpe
Gan
Nonpolar
Chemical-vapor-deposition
Acceptor Pair Emission
Phase Epitaxy
Grown Gan
Semiconductors
Sapphire
Films
Nitride