机构

• 半导体研究所 [43]
• 苏州纳米技术与纳米仿... [3]
• 高能物理研究所 [3]
• 物理研究所 [2]
• 西安光学精密机械研究... [1]

采集方式

• OAI收割 [34]
• iSwitch采集 [18]

内容类型

• 期刊论文 [52]

发表日期

• 2020 [1]
• 2018 [1]
• 2015 [2]
• 2012 [1]
• 2011 [1]
• 2009 [9]
• 更多

学科主题

• 光电子学 [10]
• 半导体材料 [8]
• 半导体物理 [6]
• Spectrosco... [1]
• 半导体化学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共52条，第1-10条 帮助 限定条件 内容类型：期刊论文     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Suppression of substrate mode in GaN-based green laser diodes 期刊论文  OAI收割 Optics Express, 2020, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 15497-15504 作者:  Jiang, Lingrong;  Liu, Jianping;  Zhang, Liqun;  Qiu, Bocang;  Tian, Aiqin   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2020/05/28 Unintentional incorporation of Ga in the nominal AlN spacer of AlInGaN/AlN/GaN Heterostructure 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2018 作者:  Dai, Shujun(戴淑君);  Gao, Hongwei(高宏伟);  Zhou, Yu(周宇);  Zhong, Yaozong;  Wang, Jin   |  收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2019/03/27 Utilization of polarization-inverted AlInGaN or relatively thinner AlGaN electron blocking layer in InGaN-based blue-violet laser diodes 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2015, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 5 作者:  Le, LC;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Liu, ZS 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2015/12/31 Utilization of polarization-inverted AlInGaN or relatively thinner AlGaN electron blocking layer in InGaN-based blue–violet laser diodes 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2015, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 011209 Lingcong Le; Degang Zhao; Desheng Jiang; Ping Chen; Zongshun Liu; Jianjun Zhu; Jing Yang; Xiaojing Li; Xiaoguang He; Jianping Liu; Shuming Zhang; Hui Yang 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2016/03/23 Conduction Band Offset of InGaN/AlInGaN Quantum Wells Studied by Deep Level Transient Spectroscopic Technique 期刊论文  OAI收割 applied physics express, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2012, 2012, 卷号: 5, 5, 期号: 9, 页码: 091001, 091001 作者:  Lu LW (Lu, Liwu);  Su SC (Su, Shichen);  Ling CC (Ling, Chi-Chung);  Xu SJ (Xu, Shijie);  Zhao DG (Zhao, Degang)   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/04/02 Characteristics of high al content algan grown by pulsed atomic layer epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 20, 页码: 8718-8721 作者:  Pan, Xu;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Yang, Cuibai 收藏  |  浏览/下载：173/0  |  提交时间：2019/05/12 Photoluminescence  Raman scattering  Pulsed atomic layer epitaxy  Algan alloys   Epitaxial growth of alingan quaternary alloys by rf-mbe 期刊论文  iSwitch采集 Journal of inorganic materials, 2009, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 559-562 作者:  Wang Bao-Zhu;  Wang Xiao-Liang 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Alingan  Rf-mbe  Structural properties  Optical properties   Confinement factor and absorption loss of AlInGaN based laser diodes emitting from ultraviolet to green 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 105, 期号: 2 作者:  Zhang LQ;  Yang H(杨辉);  Zhang LQ;  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/01/15 aluminium compounds  claddings  gallium compounds  III-V semiconductors  indium compounds  quantum well lasers  refractive index  waveguide lasers   Growth behavior of alingan films 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 3, 页码: 474-477 作者:  Shang, J. Z.;  Zhang, B. P.;  Mao, M. H.;  Cai, L. E.;  Zhang, J. Y. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Scanning electron microscope  Strain  X-ray diffraction  Alingan   Research on AlInGaN Quaternary Alloys as MQW Barriers in GaN-Based Laser Diodes 期刊论文  OAI收割 SPECTROSCOPY AND SPECTRAL ANALYSIS, 2009, 卷号: 29, 期号: 6, 页码: 1441-1444 作者:  Chen, WH;  Liao, H;  Hu, XD 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2016/06/29 GaN-based LD  Multi-quantum-well (MQW)  AlInGaN  Barrier material