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浏览/检索结果: 共825条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Epitaxial Growth of Bi2Se3 Infrared Transparent Conductive Film and Heterojunction Diode by Molecular Beam Epitaxy 期刊论文  OAI收割 Frontiers in Chemistry, 2022, 卷号: 10, 页码: 8 作者:  Y. H. Chuai;  C. Zhu;  D. Yue and Y. Bai   |  收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2023/06/14 Analysis of the second-order BDF scheme with variable steps for the molecular beam epitaxial model without slope selection 期刊论文  OAI收割 SCIENCE CHINA-MATHEMATICS, 2021, 页码: 16 作者:  Liao, Hong-Lin;  Song, Xuehua;  Tang, Tao;  Zhou, Tao   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2021/04/26 molecular beam epitaxial growth  variable-step BDF2 scheme  discrete orthogonal convolution kernels  energy stability  convergence analysis   Molecular beam epitaxial growth of InAs quantum dots on GaAs for high characteristics temperature lasers 期刊论文  OAI收割 J. Infrared Millim. Waves, 2020, 卷号: 39, 期号: 6, 页码: 667~670 作者:  Yuan Ye;  Su Xiang-Bin;  Yang Cheng-ao;  Zhang Yi;  Shang Jin-Ming;  Xie Sheng-Wen;  Zhang Yu;  Ni Hai-Qiao;  Xu Ying-Qiang;  Nil Zhi-Chuan   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2021/05/21 High quality 2-m GaSb-based optically pumped semiconductor disk laser grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 Chinese Physics B, 2019, 卷号: 28, 期号: 3 作者:  J.-M.Shang   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/08/24 Gallium compounds,Antimony compounds,III-V semiconductors,Molecular beam epitaxy,Molecular beams,Optically pumped lasers,Pumping (laser),Quantum well lasers,Semiconductor quantum wells,Silicon carbide,Silicon compounds,Tellurium compounds,Wide band gap semiconductors   GaAs Nanowires Grown by Catalyst Epitaxy for High Performance Photovoltaics 期刊论文  OAI收割 CRYSTALS, 2018, 卷号: 8, 期号: 9, 页码: 21 作者:  Wang, Ying;  Zhou, Xinyuan;  Yang, Zaixing;  Wang, Fengyun;  Han, Ning   |  收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2018/12/04 Gaas Nanowires  Catalyst Epitaxy  Photovoltaics  Optical Absorption  Schottky Barrier   Epitaxially grown monolayer vse2: an air-stable magnetic two-dimensional material with low work function at edges 期刊论文  iSwitch采集 Science bulletin, 2018, 卷号: 63, 期号: 7, 页码: 419-425 作者:  Liu, Zhong-Liu;  Wu, Xu;  Shao, Yan;  Qi, Jing;  Cao, Yun 收藏  |  浏览/下载：116/0  |  提交时间：2019/04/23 Vse2  Two-dimensional materials  Magnetism  Epitaxial growth  Scanning tunneling microscopy (stm)   Epitaxially grown monolayer VSe2: an air-stable magnetic two-dimensional material with low work function at edges 期刊论文  OAI收割 SCIENCE BULLETIN, 2018, 卷号: 63, 期号: 7, 页码: 419-425 作者:  Wang JO(王嘉鸥);  Kui RX(奎热西);  Gao, HJ;  Liu, ZL;  Wu, X   |  收藏  |  浏览/下载：90/0  |  提交时间：2019/09/24 VSe2  Two-dimensional materials  Magnetism  Epitaxial growth  Scanning tunneling microscopy (STM)   High quality PdTe2 thin films grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 86804 作者:  Li, E;  Zhang, RZ;  Li, H;  Liu, C;  Li, G   |  收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2019/09/24 two-dimensional materials  transition-metal dichalcogenides  PdTe2  molecular beam epitaxy   Initial heteroepitaxial growth and characterization of GaAs on Ge (100) by all-solid-source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2016, 卷号: 35, 期号: 2 作者:  He, W;  Lu, SL(陆书龙);  Yang, H(杨辉) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2017/03/11 Morphological dependent Indium incorporation in InGaN/GaN multiple quantum wells structure grown on 4 degrees misoriented sapphire substrate 期刊论文  OAI收割 AIP ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 3 作者:  Jiang, T;  Xu, SR;  Zhang, JC;  Li, PX;  Huang, J(黄俊) 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2017/03/11