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浏览/检索结果: 共61条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Enhanced and switchable silicon-vacancy photoluminescence in air-annealed nanocrystalline diamond films 期刊论文  OAI收割 CARBON, 2020, 卷号: 156, 页码: 242-252 作者:  Yang, Bing;  Yu, Biao;  Li, Haining;  Huang, Nan;  Liu, Lusheng   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2021/02/02 Color center  Nano-crystalline diamond  Luminescence  Surface modification  Thermal treatment   Degradation mechanisms of optoelectric properties of GaN via highly-charged Bi-209(33+) ions irradiation 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2018, 卷号: 440, 页码: 814-820 作者:  Xian, Y. Q.;  Zhang, L. Q.;  Li, J. Y.;  Su, C. H.;  Chen, Y. G.   |  收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2018/05/22 GaN  Highly-charged bismuth-ion irradiation  Raman spectrum  Varying temperature photoluminescence (PL) spectrum  Optoelectric properties   Effect of topological structure on photoluminescence of PbSe quantum dot-doped borosilicate glasses 期刊论文  OAI收割 Journal of the American Ceramic Society, 2018, 卷号: 101, 期号: 4, 页码: 1508-1515 作者:  Xu, Zhousu;  Liu, Xiaofeng;  Jiang, Chun;  Ma, Dewei;  Ren, Jinjun   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2018/12/28 Influence of highly-charged Bi-209(33+) irradiation on structure and optoelectric characteristics of GaN epilayer 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2017, 卷号: 406, 页码: 571-577 作者:  Li, Jj.;  Zhang, C. H.;  Zhang, L. Q.;  Song, Y.;  Yan, T. X.   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2018/05/08 GaN  Highly-charged bismuth ion irradiation  AFM  XPS  Raman scattering spectrum  PL   Influence of highly-charged Bi-209(33+) irradiation on structure and optoelectric characteristics of GaN epilayer 会议论文  OAI收割 作者:  Song, Y.;  Zhang, L. Q.;  Zhang, C. H.;  Xu, C. L.;  Li, Jj.   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2018/08/20 GaN  Highly-charged bismuth ion irradiation  AFM  XPS  Raman scattering spectrum  PL   Influence of highly-charged Bi-209(33+) irradiation on structure and optoelectric characteristics of GaN epilayer 会议论文  OAI收割 作者:  Yang, Y. T.;  Li, J. Y.;  Liu, H. P.;  Ding, Z. N.;  Yan, T. X.   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2018/08/20 GaN  Highly-charged bismuth ion irradiation  AFM  XPS  Raman scattering spectrum  PL   Negative thermal quenching of below-bandgap photoluminescence in InPBi 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017, 卷号: 110, 期号: 5 作者:  Chen XR;  Wu XY;  Yue L;  Zhu LQ;  Pan WW   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2018/11/20 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ANTISITE DEFECTS  GROWTH  SOLIDS   The electronic band structures of gadolinium chalcogenides: a first-principles prediction for neutron detecting 期刊论文  OAI收割 Journal of Physics-Condensed Matter, 2016, 卷号: 28, 期号: 18 作者:  Li, K. X.;  L. Liu;  P. Y. Yu;  X. B. Chen and D. Z. Shen 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2017/09/11 Relationship between Eu3+ substitution sites and photoluminescence properties of SrIn2O4:Eu3+ spinel phosphors 期刊论文  OAI收割 journal of luminescence, 2016, 卷号: 169, 页码: 78-85 作者:  Kang, Yipu;  Thuy, Bui;  Shimokawa, Yohei;  Hayakawa, Tomokatsu;  Sakaida, Satoshi 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2016/12/03 SrIn2O4  Eu3+ substitution site  Photoluminescence  Red emitting  Thermal quenching property   Blue-Emitting K2Al2B2O7:Eu2+ Phosphor with High Thermal Stability and High Color Purity for Near-UV-Pumped White Light-Emitting Diodes 期刊论文  OAI收割 Inorganic Chemistry, 2015, 卷号: 54, 期号: 7, 页码: 3189-3195 作者:  Xiao, W. G.;  X. Zhang;  Z. D. Hao;  G. H. Pan;  Y. S. Luo 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2016/07/15