机构

• 微电子研究所 [8]
• 计算技术研究所 [4]
• 合肥物质科学研究院 [1]
• 近代物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [14]

内容类型

• 期刊论文 [8]
• 会议论文 [3]
• 外文期刊 [3]

发表日期

• 2023 [2]
• 2022 [1]
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浏览/检索结果: 共14条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Frequency-Domain Inference Acceleration for Convolutional Neural Networks Using ReRAMs 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON PARALLEL AND DISTRIBUTED SYSTEMS, 2023, 卷号: 34, 期号: 12, 页码: 3133-3146 作者:  Liu, Bosheng;  Jiang, Zhuoshen;  Wu, Yalan;  Wu, Jigang;  Chen, Xiaoming   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2023/12/04 Frequency-domain accelerator  energy efficiency  resistive random access memory  frequency-domain convolutions   On-Line Fault Protection for ReRAM-Based Neural Networks 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON COMPUTERS, 2023, 卷号: 72, 期号: 2, 页码: 423-437 作者:  Li, Wen;  Wang, Ying;  Liu, Cheng;  He, Yintao;  Liu, Lian   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2023/07/12 Training  Fault detection  Computational modeling  Image edge detection  Memristors  Neural networks  Kernel  Deep neural network  hard fault  ReRAM  reliability  soft fault   A Fast Precision Tuning Solution for Always-On DNN Accelerators 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON COMPUTER-AIDED DESIGN OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS, 2022, 卷号: 41, 期号: 5, 页码: 1236-1248 作者:  Wang, Ying;  He, Yintao;  Cheng, Long;  Li, Huawei;  Li, Xiaowei   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2022/12/07 Computer architecture  Neural networks  Computational modeling  Approximate computing  Tuning  Switches  Microprocessors  Always-on  CNN  computing-in-memory (CiM)  resistive RAM   Effects of high energy heavy ion irradiation on resistive switches 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2020, 卷号: 231, 页码: 6 作者:  Guo, Xiangyu;  Liu, Jiande;  Wang, Qi;  He, Deyan   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2021/12/15 Resistive switching  High energy heavy ion  Concentrated defects  Switching behavior   Ferroelectric FETs-Based Nonvolatile Logic-in-Memory Circuits 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON VERY LARGE SCALE INTEGRATION (VLSI) SYSTEMS, 2019, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 159-172 作者:  Chen, Xiaoming;  Niemier, Michael;  Hu, Xiaobo Sharon;  Yin, Xunzhao   |  收藏  |  浏览/下载：70/0  |  提交时间：2019/04/03 Ferroelectric FET (FeFET)  logic-in-memory (LiM)  nonvolatile (NV) memory   A CMOS Compatible, Forming Free TaON-based ReRAM with Low Soft Errors and Good Retention 会议论文  OAI收割 作者:  Tai L(台路);  Xu XX(许晓欣);  Yuan P(袁鹏);  Yu J(余杰);  Luo Q(罗庆)   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/13 A Double-References and Dynamic-Tracking scheme for writing bit-yield improvement of ReRAM 会议论文  OAI收割 作者:  Chen CY(陈铖颖)   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2017/05/18 Oxygen vacancy effects in HfO2 - based resistive switching memory: First principle study 期刊论文  OAI收割 AIP ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 8, 页码: 1-10 作者:  Dai, Yuehua;  Pan, Zhiyong;  Wang, Feifei;  Li, Xiaofeng   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2017/11/21 A 128 Kb HfO2 ReRAM with Novel Double-Reference and Dynamic-Tracking scheme for write yield improvement 期刊论文  OAI收割 IEICE Electronics Express, 2016 作者:  Chen CY(陈铖颖);  Zhang F(张锋)   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/05/08 氧化物基固态电解液类型阻变存储器中导电细丝生长和破灭的实时观测 期刊论文  OAI收割 Advanced Materials, 2012 作者:  吕杭炳;  龙世兵;  刘明;  刘琦   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2015/09/22