机构

• 半导体研究所 [22]
• 物理研究所 [17]
• 金属研究所 [14]
• 微电子研究所 [10]
• 长春光学精密机械与物... [7]
• 上海硅酸盐研究所 [7]
• 更多

采集方式

• OAI收割 [106]
• iSwitch采集 [10]

内容类型

• 期刊论文 [109]
• 会议论文 [4]
• 专利 [2]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2022 [6]
• 2021 [5]
• 2020 [2]
• 2019 [9]
• 2018 [7]
• 2017 [6]
• 更多

学科主题

• 半导体物理 [6]
• 半导体材料 [5]
• 光电子学 [3]
• Materials ... [1]
• Nanoscienc... [1]
• Physics [1]
• 更多

筛选

浏览/检索结果: 共116条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Phototransistors Based on hBN-Encapsulated NiPS3 期刊论文  OAI收割 MAGNETOCHEMISTRY, 2022, 卷号: 8, 期号: 9, 页码: 8 作者:  Liu, Yingjia;  Sun, Xingdan   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2023/05/09 two-dimensional materials  NiPS3  vdWs heterojunction  phototransistor  Schottky barrier   Phototransistors Based on hBN-Encapsulated NiPS3 期刊论文  OAI收割 MAGNETOCHEMISTRY, 2022, 卷号: 8, 期号: 9, 页码: 8 作者:  Liu, Yingjia;  Sun, Xingdan   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2023/05/09 two-dimensional materials  NiPS3  vdWs heterojunction  phototransistor  Schottky barrier   High-performance gold/graphene/germanium photodetector based on a graphene-on-germanium wafer 期刊论文  OAI收割 NANOTECHNOLOGY, 2022, 卷号: 33, 期号: 34, 页码: 7 作者:  Jiang, Haiyan;  Li, Bo;  Wei, Yuning;  Feng, Shun;  Di, Zengfeng   |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2022/07/14 graphene  germanium  2D material  Fermi-level pinning  photodetector   Fermi-Level Depinning in Metal/Ge Junctions by Inserting a Carbon Nanotube Layer 期刊论文  OAI收割 SMALL, 2022, 页码: 7 作者:  Wei, Yu-Ning;  Hu, Xian-Gang;  Zhang, Jian-Wei;  Tong, Bo;  Du, Jin-Hong   |  收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2022/07/14 carbon nanotube films  Fermi-level pinning  germanium  metal-induced gap states  ohmic contacts   Regulation of UV light on the hot-electron current of Au/TiO2:Tb3+Schottky diodes 期刊论文  OAI收割 MATERIALS LETTERS, 2022, 卷号: 308 作者:  Liu, Shu Li;  Fei, Guang Tao;  Xia, Kai;  Xu, Shao Hui;  Gao, Xu Dong   |  收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2022/01/10 Semiconductors  Sensors  Doping  TiO 2  Barriers   Fermi-Level Depinning in Metal/Ge Junctions by Inserting a Carbon Nanotube Layer 期刊论文  OAI收割 Small, 2022, 卷号: 18, 期号: 24, 页码: 7 作者:  Y. N. Wei;  X. G. Hu;  J. W. Zhang;  B. Tong;  J. H. Du   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2023/06/14 Effect of charge coupling on breakdown voltage of high voltage trench-gate-type super barrier rectifier 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2021, 卷号: 70 作者:  Xu Da-Lin;  Wang Yu-Qi;  Li Xin-Hua;  Shi Tong-Fei   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2021/04/26 trench-gate-type super barrier rectifier  charge coupling  breakdown voltage  stepped oxide   Giant tunnel electroresistance in ferroelectric tunnel junctions with metal contacts to two-dimensional ferroelectric materials 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2021, 卷号: 103 作者:  Kang, Lili;  Jiang, Peng;  Hao, Hua;  Zhou, Yanhong   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2021/06/15 Three-dimensional metal-semiconductor-metal bipolar ultraviolet phototransistor based on GaN p-i-n epilayer 期刊论文  OAI收割 Applied Physics Letters, 2021, 卷号: 119, 期号: 16 作者:  K. Jiang;  X. Sun;  Y. Chen;  S. Zhang;  J. Ben   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2022/06/13 Role of Interface Induced Gap States in Polar AlxGa1-xN (0 <= x <= 1) Schottky Diodes 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2021, 卷号: 50, 期号: 6, 页码: 3731-3738 作者:  Jadhav, Aakash;  Dai, Yijun;  Upadhyay, Prashant   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2021/12/01