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浏览/检索结果: 共97条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Dynamic carrier transport modulation for constructing advanced devices with improved performance by piezotronic and piezo-phototronic effects: a brief review 期刊论文  OAI收割 Semiconductor Science and Technology, 2017, 卷号: 32, 期号: 8 作者:  Guo, Z.;  H. X. Pan;  C. Y. Li;  L. L. Zhang;  S. Yan   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2018/06/13 Dynamic carrier transport modulation for constructing advanced devices with improved performance by piezotronic and piezo-phototronic effects: a brief review 期刊论文  OAI收割 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2017, 卷号: 32, 期号: 8, 页码: - 作者:  Guo, Z;  Pan, HX;  Li, CY;  Zhang, LL;  Yan, S   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2018/08/30 P-n-junction  Sensitized Solar-cells  Nanowire Arrays  Zno Nanowire  Piezoelectric Nanogenerators  Layer Mos2  Band-gap  2-dimensional Materials  Temperature-dependence  Molybdenum-disulfide   Abnormal InGaN growth behavior in indium-desorption regime in metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 409, 期号: 0, 页码: 51-55 作者:  Zhou, K(周堃);  Ikeda, M;  Liu, JP(刘建平);  Zhang, SM(张书明);  Li, ZC(李增成) 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2015/02/03 Growth models  Metalorganic vapor phase epitaxy  Nitrides  Semiconducting III-V materials   Influence of substrate surface defects on the homoepitaxial growth of GaN (0001) by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 416, 页码: 7 作者:  Zhou, K(周堃);  Liu, JP(刘建平);  Ikeda, M;  Zhang, SM(张书明);  Li, DY(李德尧) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2015/12/31 Surface structure  Metalorganic vapor phase epitaxy  Nitrides  Semiconducting III-V materials   The investigation of GaInP solar cell grown by all-solid MBE 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 378, 期号: 0, 页码: 604-606 作者:  Lu, SL(陆书龙);  Ji, L 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2014/01/15 Molecular beam epitaxy  Semiconducting III-V materials  Solar cells   Hillock formation and suppression on c-plane homoepitaxial GaN Layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 371, 期号: 0, 页码: 7-10 作者:  Li, DY(李德尧);  Zhang, SM(张书明);  Liu, JP(刘建平);  Zhang, LQ(张立群);  Yang, H(杨辉) 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2014/01/13 Surface structure  Metalorganic vapor phase epitaxy  Nitrides  Semiconducting III-V materials   Fabrication of ferromagnetic gamnsb by thermal diffusion of evaporated mn 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 316, 期号: 1, 页码: 145-148 作者:  Yang, Guandong;  Zhu, Feng;  Dong, Shan 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Diffusion  Physical vapor deposition processes  Magnetic materials  Semiconducting iii-v materials   Theoretical Study about the formation of the stacking faults in GaN nanowires along different growth directions 会议论文  OAI收割 International Conference on Computational Materials Science, Guangzhou, PEOPLES R CHINA, APR 17-18, 2011 作者:  Zhang, JP (张锦平);  Yang, H (杨辉);  Xu, K (徐科);  Gong, XJ (弓晓晶);  Gong, XJ (弓晓晶) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/08/24 Gallium nitride nanowire  stacking faults  molecular dynamics simulations   Li(Zn,Mn)As as a new generation ferromagnet based on a I-II-V semiconductor 期刊论文  OAI收割 NATURE COMMUNICATIONS, 2011, 卷号: 2 Deng, Z; Jin, CQ; Liu, QQ; Wang, XC; Zhu, JL; Feng, SM; Chen, LC; Yu, RC; Arguello, C; Goko, T; Ning, FL; Zhang, JS; Wang, YY; Aczel, AA; Munsie, T; Williams, TJ; Luke, GM; Kakeshita, T; Uchida, S; Higemoto, W; Ito, TU; Gu, B; Maekawa, S; Morris, GD; Uemura, YJ 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/09/18 TETRAHEDRAL SEMICONDUCTOR  SPIN RELAXATION  LIZNAS  LIFEAS  SUPERCONDUCTIVITY   Application of quantum dots in biological imaging 期刊论文  iSwitch采集 Journal of nanomaterials, 2011, 页码: 13 作者:  Jin, Shan;  Hu, Yanxi;  Gu, Zhanjun;  Liu, Lei;  Wu, Hai-Chen 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/04/23