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浏览/检索结果: 共294条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Investigation of catalyst-assisted growth of nonpolar GaN nanowires via a modified HVPE process 期刊论文  OAI收割 NANOSCALE, 2020, 卷号: 12, 期号: 7, 页码: 4393-4399 作者:  Zhang, Cai;  Liu, Xiaoyuan;  Li, Jing;  Zhang, Xinglai;  Yang, Wenjing   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2021/02/03 Pulsed axial epitaxy of colloidal quantum dots in nanowires enables facet-selective passivation 期刊论文  OAI收割 NATURE COMMUNICATIONS, 2018, 卷号: 9, 页码: 8 作者:  Li, Yi;  Zhuang, Tao-Tao;  Fan, Fengjia;  Voznyy, Oleksandr;  Askerka, Mikhail   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/12/25 GaAs Nanowires Grown by Catalyst Epitaxy for High Performance Photovoltaics 期刊论文  OAI收割 CRYSTALS, 2018, 卷号: 8, 期号: 9, 页码: 21 作者:  Wang, Ying;  Zhou, Xinyuan;  Yang, Zaixing;  Wang, Fengyun;  Han, Ning   |  收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2018/12/04 Gaas Nanowires  Catalyst Epitaxy  Photovoltaics  Optical Absorption  Schottky Barrier   Determination of adsorption-controlled growth windows of chalcogenide perovskites 期刊论文  OAI收割 MRS COMMUNICATIONS, 2018, 卷号: 8, 期号: 1, 页码: 145, 151 作者:  Filippone, Stephen A.;  Sun, Yi-Yang;  Jaramillo, R.   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2018/12/28 MOVPE-Growth of InGaSb/AlP/GaP(001) Quantum Dots for Nanoscale Memory Applications 期刊论文  OAI收割 Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics, 2018, 卷号: 255, 期号: 12, 页码: 7 作者:  Sala, E. M.;  Arikan, I. F.;  Bonato, L.;  Bertram, F.;  Veit, P.   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/09/17 AlP barrier  GaP  InGaSb  MOVPE growth  nanoscale memory  quantum dots  hole localization  ohmic contacts  luminescence  resistance  Physics   The nucleation and growth mechanism of Ni-Sn eutectic in a single crystal superalloy 期刊论文  OAI收割 ELSEVIER SCIENCE BV, 2017, 卷号: 479, 页码: 75-82 作者:  Jiang, Weiguo;  Wang, Li;  Li, Xiangwei;  Lou, Langhong;  Jiang, WG (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Met Res, Shenyang 110016, Liaoning, Peoples R China.   |  收藏  |  浏览/下载：213/0  |  提交时间：2018/01/10 Crystal Structure  Growth From Melt  Solid Phase Epitaxy  Alloys   Recrystallization of He-ion implanted 6H-SiC upon annealing 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2015, 卷号: 345, 页码: 53-57 作者:  Li, B. S.;  Du, Y. Y.;  Wang, Z. G.   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2018/07/05 Ion implantatIon  Annealing  Recrystallization  Bubbles  Transmission Electron Microscopy   ZnGeN2 and ZnGeN2:Mn2+ phosphors: hydrothermal-ammonolysis synthesis, structure and luminescence properties 期刊论文  OAI收割 journal of materials chemistry c, 2015, 卷号: 3, 期号: 36, 页码: 9306-9317 作者:  Shang,Mengmeng;  Wang,Jing;  Fan,Jian;  Lian,Hongzhou;  Zhang,Yang 收藏  |  浏览/下载：67/0  |  提交时间：2016/05/12 LIGHT-EMITTING-DIODES  TEMPERATURE-DEPENDENT EMISSION  SOLID-SOLUTION PHOSPHORS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  YELLOW LUMINESCENCE  WHITE LEDS  PHOTOLUMINESCENCE PROPERTIES  MN2&-ACTIVATED PHOSPHORS  ELECTRONIC STATES   Surface acoustic waves in semi-insulating Fe-doped GaN films grown by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 卷号: 105, 期号: 6 作者:  Zhang YM(张育民);  Fan YM(樊英民);  Xu GZ(徐耿钊);  Xu K(徐科);  Zhong HJ(钟海舰) 收藏  |  浏览/下载：83/0  |  提交时间：2014/11/27 ELECTROMECHANICAL COUPLING COEFFICIENT  PROPAGATION PROPERTIES  ON-SAPPHIRE  VELOCITY  NITRIDE  DEVICES   Microstructure and ferroelectric properties of epitaxial BaTiO3/SrRuO3/SrTiO3 (001) films grown by pulsed laser deposition under high oxygen pressure 期刊论文  OAI收割 Thin Solid Films, 2012, 卷号: 520, 期号: 7, 页码: 2785-2788 X. W. Wang; X. Wang; W. J. Gong; Y. Q. Zhang; Y. L. Zhu; Z. J. Wang; Z. D. Zhang 收藏  |  浏览/下载：101/0  |  提交时间：2013/02/05 BaTiO3  Films  Pulsed laser deposition  Ferroelectric properties  batio3 thin-films  molecular-beam epitaxy  dielectric-properties  thickness  srtio3