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Nanowire gate-all-around MOSFETs modeling: ballistic transport incorporating the source-to-drain tunneling 期刊论文  OAI收割
Japanese Journal of Applied Physics, 2020, 卷号: 59, 期号: 7, 页码: 1-9
作者:  Cheng H(程贺);  Liu TF(刘铁锋);  Zhang C(张超);  Liu ZF(刘志峰);  Yang ZJ(杨志家)
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