机构

• 半导体研究所 [3]
• 沈阳自动化研究所 [3]
• 物理研究所 [1]
• 金属研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [7]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [6]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2020 [2]
• 2018 [1]
• 2014 [1]
• 2011 [3]
• 2002 [1]

学科主题

• 半导体物理 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Nanowire gate-all-around MOSFETs modeling: ballistic transport incorporating the source-to-drain tunneling 期刊论文  OAI收割 Japanese Journal of Applied Physics, 2020, 卷号: 59, 期号: 7, 页码: 1-9 作者:  Cheng H(程贺);  Liu TF(刘铁锋);  Zhang C(张超);  Liu ZF(刘志峰);  Yang ZJ(杨志家)   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/07/11 ballistic transport  cylindrical gate-allaround (GAA) MOSFET  compact model  Wentzel-Kramers-Brillouin (WKB) approximation  the source-to-drain tunneling   Analytic Compact Model of Short-channel Cylindrical ballistic GAA MOSFET Including SDT effect 会议论文  OAI收割 Zhangjiajie, China, April 24-26, 2020 作者:  Cheng H(程贺);  Zhang C(张超);  Liu TF(刘铁锋);  Yang ZJ(杨志家);  Zhang ZP(张志鹏)   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/08/01 Compact Model of Short-channel Cylindrical ballistic Gate-All-Around MOSFET Including the Source-to-drain Tunneling 会议论文  OAI收割 Male, Maldives, March 6-8, 2018 作者:  Liu ZF(刘志峰);  Yang ZJ(杨志家);  Cheng H(程贺);  Zhang ZP(张志鹏)   |  收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2018/07/01 Single-ZnO-Nanobelt-Based Single-Electron Transistors 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2014, 卷号: 31, 期号: 6 Ji, XF; Xu, Z; Cao, S; Qiu, KS; Tang, J; Zhang, XT; Xu, XL 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2015/04/14 Quantum mechanical simulation of electronic transport in nanostructured devices by efficient self-consistent pseudopotential calculation 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: 10 作者:  Jiang, Xiang-Wei;  Li, Shu-Shen;  Xia, Jian-Bai;  Wang, Lin-Wang 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 The Aharonov-Bohm-Fano interferometer as a spin-manipulating device 期刊论文  OAI收割 Journal of Applied Physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7 W. J. Gong; H. Li; S. Zhang; G. Z. Wei 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/04/13 quantum-dot  transport  heterostructure  antiresonance  spintronics  resonances  coherence  systems  wells   Quantum mechanical simulation of electronic transport in nanostructured devices by efficient self-consistent pseudopotential calculation 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 2011, 卷号: 109, 109, 期号: 5, 页码: article no.54503, Article no.54503 作者:  Jiang XW;  Li SS;  Xia JB;  Wang LW;  Jiang, XW, Chinese Acad Sci, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. xwjiang@semi.ac.cn   |  收藏  |  浏览/下载：49/2  |  提交时间：2011/07/05 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  SEMICONDUCTOR-DEVICES  SILICON DEVICES  MONTE-CARLO  MOSFETS  NANOTRANSISTORS  APPROXIMATION  EQUATIONS  DESIGN  MODELS  Field-effect Transistors  Semiconductor-devices  Silicon Devices  Monte-carlo  Mosfets  Nanotransistors  Approximation  Equations  Design  Models   Influence of transverse interdot coupling on transport properties of an Aharonov-Bohm structure composed by two dots and two reservoirs 期刊论文  OAI收割 physical review b, 2002, 卷号: 66, 期号: 20, 页码: art.no.205306 Jiang ZT; You JQ; Bian SB; Zheng HZ 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 DOUBLE-QUANTUM-DOT  ARTIFICIAL MOLECULE  RATE-EQUATIONS  RING  INTERFERENCE  SPECTROSCOPY  OSCILLATIONS  CONDUCTANCE  INTRADOT