机构

• 半导体研究所 [2]
• 力学研究所 [1]
• 物理研究所 [1]
• 金属研究所 [1]
• 长春应用化学研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [5]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2014 [2]
• 2010 [1]
• 2002 [3]

学科主题

• 半导体材料 [1]
• 流体力学::微重力流... [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Spin dependent transport properties of Mn-Ga/MgO/Mn-Ga magnetic tunnel junctions with metal(Mg, Co, Cr) insertion layer 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 卷号: 115, 期号: 13 Liang, SH; Tao, LL; Liu, DP; Lu, Y; Han, XF 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2015/04/14 Phase evaluation, magnetic, and electric properties of Mn60+xGa40-x (x=0-15) ribbons 期刊论文  OAI收割 Journal of Applied Physics, 2014, 卷号: 115, 期号: 17 J. N. Feng; X. G. Zhao; X. K. Ning; C. W. Shih; W. C. Chang; S. Ma; W. Liu; Z. D. Zhang 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2014/07/03 solidification  coercivity  mn3ga   Epitaxial Growth and Magnetic Properties of Mn-Ga Thin Films on GaSb (001) 期刊论文  OAI收割 journal of the korean physical society, 2010, 卷号: 56, 期号: 4, 页码: 1382-1386 Feng WW; Dung DD; Shin Y; Van Thiet D; Cho S; Hao X 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/06/06 PERPENDICULAR MAGNETIZATION  CRYSTAL-STRUCTURE  PHASE  ANISOTROPY  ALLOYS   (Ga,Mn,As) compounds grown on semi-insulating GaAs with mass-analyzed low energy dual ion beam deposition 期刊论文  OAI收割 Journal of Crystal Growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 2-3, 页码: 359-363 作者:  Yang JL;  Chen NF(陈诺夫);  Liu ZK;  Yang SY;  Chai CL 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2009/02/17 X-ray diffraction   (Ga,Mn,As) compounds grown on semi-insulating GaAs with mass-analyzed low energy dual ion beam depositionw 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 2-3, 页码: 359-363 Yang JL; Chen NF; Liu ZK; Yang SY; Chai CL; Liao MY; He HJ 收藏  |  浏览/下载：76/6  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  ion beam epitaxy  gallium arsenide  FILMS  FE   (ga,mn,as) compounds grown on semi-insulating gaas with mass-analyzed low energy dual ion beam depositionw 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 2-3, 页码: 359-363 作者:  Yang, JL;  Chen, NF;  Liu, ZK;  Yang, SY;  Chai, CL 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/12 X-ray diffraction  Ion beam epitaxy  Gallium arsenide