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• 半导体研究所 [21]

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浏览/检索结果: 共21条，第1-10条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane gan revealed by selective etching 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145 作者:  Wei, T. B.;  Yang, J. K.;  Hu, Q.;  Duan, R. F.;  Huo, Z. Q. 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Cl  Pl  Stacking fault  Hvpe  Gan  Nonpolar   First principles study of the electronic properties of twinned sic nanowires 期刊论文  iSwitch采集 Journal of nanoparticle research, 2011, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 185-191 作者:  Wang, Zhiguo;  Wang, Shengjie;  Zhang, Chunlai;  Li, Jingbo 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Twinned sic nanowires  Electronic properties  Ab initio  Modeling and simulation   Charge separation in wurtzite/zinc-blende heterojunction gan nanowires 期刊论文  iSwitch采集 Chemphyschem, 2010, 卷号: 11, 期号: 15, 页码: 3329-3332 作者:  Wang, Zhiguo;  Li, Jingbo;  Gao, Fei;  Weber, William J. 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Ab initio  Charge separation  Heterojunctions  Nanowires   One-pot synthesis and self-assembly of colloidal copper(i) sulfide nanocrystals 期刊论文  iSwitch采集 Nanotechnology, 2010, 卷号: 21, 期号: 28, 页码: 9 作者:  Tang, Aiwei;  Qu, Shengchun;  Li, Kai;  Hou, Yanbing;  Teng, Feng 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Tensile and compressive mechanical behavior of twinned silicon carbide nanowires 期刊论文  iSwitch采集 Acta materialia, 2010, 卷号: 58, 期号: 6, 页码: 1963-1971 作者:  Wang, Z. G.;  Li, J. B.;  Gao, F.;  Weber, W. J. 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/05/12 Twinning  Nanotructures  Fracture  Buckling  Molecular dynamics   Growth of (10(1)over-bar(3)over-bar) semipolar gan on m-plane sapphire by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 17, 页码: 4153-4157 作者:  Wei, T. B.;  Hu, Q.;  Duan, R. F.;  Wei, X. C.;  Huo, Z. Q. 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Hrxrd  Pl  Stacking fault  Hvpe  Gan  Semipolar   Microstructure and optical properties of nonpolar m-plane gan films grown on m-plane sapphire by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Japanese journal of applied physics, 2008, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 3346-3349 作者:  Wei, Tongbo;  Duan, Ruifei;  Wang, Junxi;  Li, Jinmin;  Huo, Ziqiang 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Hvpe  Gan  Sapphire  Nonpolar  Semipolar   Effects of accumulated strain on the surface and optical properties of stacked 1.3 mu m inas/gaas quantum dot structures 期刊论文  iSwitch采集 Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2008, 卷号: 40, 期号: 6, 页码: 2182-2184 作者:  Yang, Tao;  Tatebayashi, Jun;  Nishioka, Masao;  Arakawa, Yasuhiko 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Inas quantum dots  Lasers  Mocvd   Distinct two dimensional lateral ordering of self-assembled quantum dots 期刊论文  iSwitch采集 Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2008, 卷号: 40, 期号: 6, 页码: 1952-1954 作者:  Ma, W. Q.;  Sun, Y. W.;  Yang, X. J.;  Jiang, D. S.;  Chen, L. H. 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Lateral ordering  Quantum dots  Molecular beam epitaxy   Self-organized hexagonal ordering of quantum dot arrays 期刊论文  iSwitch采集 Nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 23, 页码: 5765-5768 作者:  Ma, W. Q.;  Sun, Y. W.;  Yang, X. J.;  Jiang, D. S.;  Chen, L. H. 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12