机构

• 半导体研究所 [6]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [5]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2003 [6]

学科主题

• 半导体物理 [6]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2003    学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Pressure behavior of Te isoelectronic centers in S-rich ZnS1-xTex alloy 会议论文  OAI收割 10th international conference on high pressures in semiconductor physics (hpsp-x), guildford, england, aug 05-08, 2002 Li GH; Fang ZL; Su FH; Ma BS; Ding K; Han HX; Sou IK; Ge WK 收藏  |   Green-light-emitting ZnSe nanowires fabricated via vapor phase growth 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2003, 卷号: 82, 期号: 19, 页码: 3330-3332 Xiang B; Zhang HZ; Li GH; Yang FH; Su FH; Wang RM; Xu J; Lu GW; Sun XC; Zhao Q; Yu DP 收藏  |   Detector-induced dephasing in quantum-dot cellular automata qubit 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2003, 卷号: 94, 期号: 3, 页码: 2142-2144 Jiang ZT; You JQ; Zheng HZ 收藏  |   Effects of seed dot layer and thin GaAs spacer layer on the structure and optical properties of upper In(Ga)As quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 11, 页码: 8898-8902 作者:  Xu B 收藏  |   Effect of InAs quantum dots on the Fermi level pinning of undoped-n(+) type GaAs surface studied by contactless electroreflectance 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 7, 页码: 4169-4172 作者:  Li CM;  Jin P;  Xu B 收藏  |   Structure and photoluminescence study of InGaAs/GaAs quantum dots grown via cycled (InAs)(n)/(GaAs)(n) monolayer deposition 期刊论文  OAI收割 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2003, 卷号: 42, 期号: 3, 页码: 1154-1157 He J; Wang XD; Xu B; Wang ZG; Qu SC 收藏  |