机构

• 半导体研究所 [9]

采集方式

• OAI收割 [9]

内容类型

• 期刊论文 [7]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2009 [9]

学科主题

• 半导体材料 [9]

筛选

浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 发表日期：2009    学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer 会议论文  OAI收割 international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007 Zhao, YM; Sun, GS; Liu, XF; Li, JY; Zhao, WS; Wang, L; Li, JM; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/03/09 Silicon Carbide  Aluminum Nitride  buffer layer  LPCVD   Epitaxial Growth of AlInGaN Quaternary Alloys by RF-MBE 期刊论文  OAI收割 journal of inorganic materials, 2009, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 559-562 Wang BZ; Wang XL 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/03/08 AlInGaN  RF-MBE  structural properties  optical properties   Solid source MBE growth of quantum cascade lasers 期刊论文  OAI收割 applied physics a-materials science & processing, 2009, 卷号: 97, 期号: 3, 页码: 527-532 Liu FQ (Liu Feng-Qi); Li L (Li Lu); Wang LJ (Wang Lijun); Liu JQ (Liu Junqi); Zhang W (Zhang Wei); Zhang QD (Zhang Quande); Liu WF (Liu Wanfeng); Lu QY (Lu Quanyong); Wang ZG (Wang Zhanguo) 收藏  |  浏览/下载：161/59  |  提交时间：2010/03/08 CONTINUOUS-WAVE OPERATION   Growth of nonpolar a-plane GaN on nano-patterned r-plane sapphire substrates 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2009, 卷号: 255, 期号: 6, 页码: 3664-3668 Gao HY; Yan FW; Zhang Y; Li JM; Zeng YP; Wang JX 收藏  |  浏览/下载：163/24  |  提交时间：2010/03/08 GaN  Nonpolar  MOCVD  Nano-patterned   Structural and optical properties of ZnO films on SrTiO3 substrates by MOCVD 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 1, 页码: art. no. 015415 作者:  Jia CH 收藏  |  浏览/下载：173/14  |  提交时间：2010/03/08 PULSED-LASER DEPOSITION  THIN-FILMS  ZINC-OXIDE  PHOTOLUMINESCENCE  TEMPERATURE  SAPPHIRE  SURFACE  GROWTH   An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application 期刊论文  OAI收割 solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335 作者:  Zhang ML;  Hou QF 收藏  |  浏览/下载：128/30  |  提交时间：2010/03/08 AlGaN/AlN/GaN  HEMT  MOCVD  SiC substrate  Power device   Epitaxial growth on 4H-SiC by TCS as a silicon precursor 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 9, 页码: 21-25 作者:  Liu Xingfang 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/11/23 Morphology and wetting layer properties of InAs/GaAs nanostructures 会议论文  OAI收割 5th international conference on semiconductor quantum dots, gyeongju, south korea, may 11-16, 2008 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/03/09 MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Improvement in crystal quality of ZnO film on Si substrate by using a homo-buffer layer 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, 2009, 卷号: 12, 期号: 6, 页码: 233-237 作者:  Zhao J 收藏  |  浏览/下载：43/4  |  提交时间：2011/07/05 ZnO  Pulsed laser deposition  X-ray diffraction  Photoluminescence  Reflection high-energy electron diffraction  PULSED-LASER DEPOSITION  THIN-FILMS  PLD TECHNIQUE  GROWTH  SAPPHIRE  TEMPERATURE