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• 2011 [4]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2011    专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Epitaxial growth of Ni(Al)Si0.7Ge0.3 on Si0.7Ge0.3/Si(100) by Al interlayer mediated epitaxy 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 98, 期号: 25, 页码: 252101 Zhang,B; Yu,W; Zhao,QT; Mussler,G; Jin,L; Buca,D; Hollander,B; Hartmann,JM; Zhang,M; Wang,X; Mantl,S 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2012/04/10 AMER INST PHYSICS   Epitaxial growth of fully relaxed Si0.75Ge0.25 on SOI substrate 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2011, 卷号: 257, 期号: 11, 页码: 5021-5024 Xue,ZY; Wei,X; Zhang,B; Wu,AM; Zhang,MA; Wang,X 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/04/10 ELSEVIER SCIENCE BV   Epitaxial growth of Ni(Al)Si0.7Ge0.3 on Si0.7Ge0.3/Si(100) by Al interlayer mediated epitaxy 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 98, 期号: 25, 页码: 252101 Zhang, B; Yu, W; Zhao, QT; Mussler, G; Jin, L; Buca, D; Hollander, B; Hartmann, JM; Zhang, M（重点实验室）; Wang, X（重点实验室）; Mantl, S 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/05/10 Physics  Applied   Epitaxial growth of fully relaxed Si0.75Ge0.25 on SOI substrate 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2011, 卷号: 257, 期号: 11, 页码: 5021-5024 Xue, ZY; Wei, X; Zhang, B; Wu, AM（重点实验室）; Zhang, MA; Wang, X（重点实验室） 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/05/10 Chemistry  Materials Science  Physics  Physics  Physical  Coatings & Films  Applied  Condensed Matter