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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2011    学科主题：Engineering     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Sb-rich Si-Sb-Te Phase-Change Material for Phase-Change Random Access Memory Applications 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2011, 卷号: 58, 期号: 12, 页码: 4423-4426 Wu,LC; Zhou,XL; Song,ZT; Zhu,M; Cheng,Y; Rao,F; Song,SN; Liu,B; Feng,SL 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/04/10 IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC   Design and Fabrication of Dual-Trench Epitaxial Diode Array for High-Density Phase-Change Memory 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2011, 卷号: 32, 期号: 8, 页码: 1014-1016 Zhang,C; Song,ZT; Wu,GP; Liu,B; Wan,XD; Wang,L; Wang,LH; Yang,ZY; Chen,B; Feng,SL 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/04/10 IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC   Temperature model for Ge2Sb2Te5 phase change memory in electrical memory device 期刊论文  OAI收割 SOLID-STATE ELECTRONICS, 2011, 卷号: 56, 期号: 1, 页码: 13-17 Cai,DL; Song,ZT; Chen,HP; Chen,XG 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/04/10 PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD   Comparison of TID response in core, input/output and high voltage transistors for flash memory 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2011, 卷号: 51, 期号: 6, 页码: 1148-1151 Liu,ZL; Hu,ZY; Zhang,ZX; Shao,H; Chen,M; Bi,DW; Ning,BX; Zou,SC 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/04/10 PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD   Design and Fabrication of Dual-Trench Epitaxial Diode Array for High-Density Phase-Change Memory 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2011, 卷号: 32, 期号: 8, 页码: 1014-1016 Zhang, C; song, zt(重点实验室）; Wu, GP; Liu, B(重点实验室）; Wan, XD; Wang, L; Wang, LH; Yang, ZY; Chen, B; Feng, SL(重点实验室） 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/05/10 Engineering  Electrical & Electronic