机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2013 [4]

学科主题

• 半导体材料 [4]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    发表日期：2013     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Study on proton irradiation induced defects in GaN thick film 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2013, 卷号: 62, 期号: 11, 页码: 117103 Zhang Ming-Lan, Yang Rui-Xia, Li Zhuo-Xin, Cao Xing-Zhong, Wang Bao-Yi, Wang Xiao-Hui 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2014/04/30 Characterization of Obtuse Triangular Defects on 4H-SiC 4° off-Axis Epitaxial Wafers 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2013, 卷号: 30, 期号: 9, 页码: 096105 DONG Lin, SUN Guo-Sheng, YU Jun, ZHENG Liu, LIU Xing-Fang, ZHANG Feng, YAN Guo-Guo, LI Xi-Guang, WANG Zhan-Guo, YANG Fei 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2014/03/17 Growth of 4H-SiC epilayers with low surface roughness and morphological defects density on 4 degrees off-axis substrates 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2013, 卷号: 270, 页码: 301-306 Dong, Lin; Sun, Guosheng; Yu, Jun; Zheng, Liu; Liu, Xingfang; Zhang, Feng; Yan, Guoguo; Li, Xiguang; Wang, Zhanguo 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2013/09/17 Growth of f4H-SiC epilayers with low surface roughness and morphological defects density on 4° off-axis substrates 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2013, 卷号: 270, 页码: 301-306 Dong, Lin; Sun, Guosheng; Yu, Jun; Zheng, Liu; Liu, Xingfang; Zhang, Feng; Yan, Guoguo; Li, Xiguang; Wang, Zhanguo 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2014/03/17