机构

• 新疆理化技术研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2013 [2]
• 2012 [1]
• 2011 [2]

学科主题

• Physics [5]
• Engineerin... [1]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：Physics    专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 serial ferroelectric memory ionizing radiation effects and annealing characteristics 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 卷号: 62, 期号: 15, 页码: - 作者:  Zhang Xing-Yao;  Guo Qi;  Lu Wu;  Zhang Xiao-Fu;  Zheng Qi-Wen 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/11/07 ferroelectric random memory  ionizing radiation effects  annealing characteristics   research on sram functional failure mode induced by total ionizing dose irradiation 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 卷号: 62, 期号: 11, 页码: 378-384 作者:  Zheng Qi-Wen;  Yu Xue-Feng;  Cui Jiang-Wei;  Guo Qi;  Ren Di-Yuan   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/11/07 Sram  Function Failure  Test Pattern  Data Retention Fault   research on the total dose irradiation effect of partial-depletion-silicon-on insulator static random access memory 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 卷号: 61, 期号: 10, 页码: - 作者:  Li Ming;  Yu Xue-Feng;  Xue Yao-Guo;  Lu Jian;  Cui Jiang-Wei 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/11/29 partial-depletion-silicon-on insulator  static random access memory  total-dose effects  power supply current   PDSOI CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应的研究 期刊论文  OAI收割 核技术, 2011, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 452-456 作者:  李明;  余学峰 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/11/29 PDSOI  SRAM  总剂量效应  功耗电流  退火效应   Research on the total-dose irradiation damage effect for static random access memory-based field programmable gate array 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 卷号: 60, 期号: 3 作者:  Gao Bo;  Yu Xue-Feng;  Ren Di-Yuan;  Li Yu-Dong;  Cui Jiang-Wei 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/11/29 (60)Co gamma  total-dose irradiation damage effects  SRAM-based FPGA  CMOS cell