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质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响 期刊论文  OAI收割
现代应用物理, 2018, 卷号: 8, 期号: 4
作者:  
马腾;  崔江维;  郑齐文;  魏莹;  赵京昊
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γ射线辐照对130 nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响 期刊论文  OAI收割
红外与激光工程, 2018, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 214-219
作者:  
马腾;  苏丹丹;  周航;  郑齐文;  崔江维
  |  收藏  |  浏览/下载:24/0  |  提交时间:2018/10/18