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• 半导体研究所 [20]

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浏览/检索结果: 共20条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Defect properties of as-grown and electron-irradiated Te-doped GaSb studied by positron annihilation 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75016 Li H; Zhou K; Pang JB; Shao YD; Wang Z; Zhao YW 收藏  |  浏览/下载：52/10  |  提交时间：2011/07/05 UNDOPED GALLIUM ANTIMONIDE  SELF-DIFFUSION  NATIVE DEFECTS  N-TYPE  CRYSTALS  CATHODOLUMINESCENCE  PHOTOLUMINESCENCE  SEMICONDUCTORS  SPECTROSCOPY  LUMINESCENCE   有机电致发光器件及其制作方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-23, 2010-08-12, 2010-10-15 关 敏; 曹国华; 李林森; 曾一平; 李晋闽 收藏  |  浏览/下载：69/0  |  提交时间：2010/08/12 能实现低频光到高频光转换的有机-无机复合器件结构 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-20, 2010-08-12, 2010-10-15 李林森; 关 敏; 曹国华; 曾一平; 李晋闽 收藏  |  浏览/下载：68/0  |  提交时间：2010/08/12 Cluster scattering in two-dimensional electron gas investigated by Born approximation and partial-wave methods 期刊论文  OAI收割 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 543-546 Li ZW; Xu XQ; Wang J; Liu JM; Liu XL; Yang SY; Zhu QS; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：67/8  |  提交时间：2011/07/05 IONIZED-IMPURITY-SCATTERING  COMPOSITIONAL INHOMOGENEITY  PHASE-SEPARATION  QUANTUM-WELLS  ALLOY  CATHODOLUMINESCENCE  HETEROSTRUCTURES  SEMICONDUCTORS  TRANSPORT  MOBILITY   Investigation on the strain relaxation of InGaN layer and its effects on the InGaN structural and optical properties 期刊论文  OAI收割 physica b-condensed matter, 2010, 卷号: 405, 期号: 22, 页码: 4668-4672 Wang H (Wang H.); Jiang DS (Jiang D. S.); Jahn U (Jahn U.); Zhu JJ (Zhu J. J.); Zhao DG (Zhao D. G.); Liu ZS (Liu Z. S.); Zhang SM (Zhang S. M.); Qiu YX (Qiu Y. X.); Yang H (Yang H.) 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/12/12 InGaN  Dislocation  Metalorganic chemical vapor deposition  High resolution X-ray diffraction  Cathodoluminescence  MISFIT DISLOCATIONS  QUANTUM-WELLS  BAND-GAP  EPILAYERS  GENERATION  ALLOYS  INN   Mechanical Deformation Behavior of Nonpolar GaN Thick Films by Berkovich Nanoindentation 期刊论文  OAI收割 nanoscale research letters, 2009, 卷号: 4, 期号: 7, 页码: 753-757 作者:  Duan RF;  Wei TB 收藏  |  浏览/下载：96/0  |  提交时间：2010/03/08 GaN  Nonpolar  HVPE  Nanoindentation  Cathodoluminescence  Raman mapping   MOCVD生长Al_(0.48)Gao_(0.52)N/Al_(0.54)Ga_(0.36)N多量子阱的结构和光学特性 期刊论文  OAI收割 光电子·激光, 2009, 卷号: 20, 期号: 11, 页码: 1454-1457 作者:  王保柱 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/11/23 射频分子束外延生长AlInGaN四元合金 期刊论文  OAI收割 无机材料学报, 2009, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 559-562 作者:  王保柱 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/11/23 Al composition variations in AlGaN films grown on low-temperature GaN buffer layer by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 24, 页码: 5266-5269 作者:  Yang H;  Zhao DG;  Zhu JJ;  Yang H;  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：182/43  |  提交时间：2010/03/08 Cathodoluminescence  MOCVD  AlGaN   Hillocks and hexagonal pits in a thick film grown by HVPE 期刊论文  OAI收割 microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 1556-1559 作者:  Duan RF;  Wei TB 收藏  |  浏览/下载：298/42  |  提交时间：2010/03/08 GaN  HVPE  Hillocks  Pits  Cathodoluminescence