机构

• 半导体研究所 [7]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 期刊论文 [7]

发表日期

• 2007 [1]
• 2006 [1]
• 2004 [2]
• 2002 [1]
• 1999 [1]
• 1994 [1]
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学科主题

• 光电子学 [7]

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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Does an enhanced yellow luminescence imply a reduction of electron mobility in n-type GaN? 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2007, 卷号: 102, 期号: 11, 页码: art. no. 113521 Zhao, DG; Jiang, DS; Zhu, JJ; Liu, ZS; Zhang, SM; Liang, JW; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：50/5  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  X-RAY-DIFFRACTION  MG-DOPED GAN  UNDOPED GAN  PHOTOLUMINESCENCE BANDS  THREADING DISLOCATIONS  POSITRON-ANNIHILATION  GROWTH STOICHIOMETRY  GALLIUM NITRIDE   Role of edge dislocations in enhancing the yellow luminescence of n-type GaN 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 24, 页码: art.no.241917 作者:  Jiang DS;  Zhu JJ;  Li XY;  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/04/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  X-RAY-DIFFRACTION  MG-DOPED GAN  UNDOPED GAN  PHOTOLUMINESCENCE BANDS  THREADING DISLOCATIONS  POSITRON-ANNIHILATION  GROWTH STOICHIOMETRY  GALLIUM NITRIDE   Polarization effects simulation of AlGaN/GaN heterojunction by using a symbolistic delta-doping layer 期刊论文  OAI收割 solid state communications, 2004, 卷号: 132, 期号: 10, 页码: 701-705 Li, N; Zhao, DG; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：151/59  |  提交时间：2010/03/09 AlGaN/GaN   Simulation of polarization effects in AlGaN/GaN heterojunction 期刊论文  OAI收割 science in china series g-physics mechanics & astronomy, 2004, 卷号: 47, 期号: 6, 页码: 694-701 Li, N; Zhao, DG; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/03/17 AlGaN/GaN   Carrier concentration profiling in magnetic GaMnSb/GaSb investigated by electrochemistry capacitance-voltage profiler 期刊论文  OAI收割 chinese science bulletin, 2002, 卷号: 47, 期号: 21, 页码: 1780-1782 Zhang XL; Zhang FQ; Song SL; Chen NF; Wang ZG; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2010/08/12 electrochemistry C-V  magnetic semiconductor  GaMnSb  III-V SEMICONDUCTORS  MAGNETOTRANSPORT PROPERTIES  TRANSPORT-PROPERTIES  (IN  MAGNETORESISTANCE  HETEROSTRUCTURES  (GA  GAAS  MN)AS/(GA  MN)AS  AL)SB   Photoluminescence properties of nitrogen-doped ZnSe epilayers 期刊论文  OAI收割 journal of infrared and millimeter waves, 1999, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 13-18 Zhu ZM; Liu NZ; Li GH; Han HX; Wang ZP; Wang SZ; He L; Ji RB; Wu Y 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 ZnSe : N  photoluminescence  hound exciton  P-TYPE ZNSE  TEMPERATURE-DEPENDENCE  LASER-DIODES  LUMINESCENCE  ACCEPTORS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY   HIGH-RESOLUTION PHOTOLUMINESCENCE STUDIES OF (211) CDTE GROWN ON (211)B GAAS SUBSTRATE 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1994, 卷号: 140, 期号: 0, 页码: 287-290 CHEN SD; LIN L; HE XZ; XU ZY; LUO CP; XU JZ 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/15 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  FILMS