机构

• 半导体研究所 [7]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 期刊论文 [5]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2001 [3]
• 2000 [3]
• 1998 [1]

学科主题

• 半导体物理 [7]

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Detection of efficient carrier capture in ultrathin InAs/GaAs layers using a degenerate pump-probe technique 期刊论文  OAI收割 journal of physics-condensed matter, 2001, 卷号: 13, 期号: 18, 页码: 3923-3930 Liu B; Li Q; Xu ZY; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：113/10  |  提交时间：2010/08/12 QUANTUM DOTS  ZNSE MATRIX  GAAS  SPECTROSCOPY  RELAXATION   Observation of the resonant Raman behavior of individual single-walled carbon nanotubes 会议论文  OAI收割 25th international conference on the physics of semiconductors (icps25), osaka, japan, sep 17-22, 2000 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/10/29 ELECTRIC-ARC TECHNIQUE  LARGE-SCALE  SCATTERING  SPECTRA  STOKES  MODES   Gap states of hydrogenated amorphous silicon near and above the threshold of microcrystallinity with subtle boron compensation 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 17, 页码: 2509-2511 Sheng SR; Liao XB; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：103/17  |  提交时间：2010/08/12 CONSTANT PHOTOCURRENT METHOD  A-SI-H  ABSORPTION  FILMS  SPECTROSCOPY  DEPOSITION  STABILITY  DILUTION   Electronic characteristics of InAs self-assembled quantum dots 会议论文  OAI收割 9th international conference on modulated semiconductor structures (mss9), fukuoka, japan, jul 12-16, 1999 Wang HL; Feng SL; Zhu HJ; Ning D; Chen F 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 InAs/GaAs quantum dots  self-assembled structure  DLTS  PL  band offset  ENERGY-LEVELS  CARRIER RELAXATION  SPECTROSCOPY   Electronic characteristics of InAs self-assembled quantum dots 期刊论文  OAI收割 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2000, 卷号: 7, 期号: 3-4, 页码: 383-387 Wang HL; Feng SL; Zhu HJ; Ning D; Chen F 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 InAs/GaAs quantum dots  self-assembled structure  DLTS  PL  band offset  ENERGY-LEVELS  CARRIER RELAXATION  SPECTROSCOPY   Microstructure of SiOx : H films prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 chinese physics, 2000, 卷号: 9, 期号: 4, 页码: 309-312 Ma ZX; Liao XB; Kong GL; Chu JH 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 RAMAN-SCATTERING  SILICON  PHOTOLUMINESCENCE  SPECTRA   Study of microstructure of high stability hydrogenated amorphous silicon films by Raman scattering and infrared absorption spectroscopy 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 3, 页码: 336-338 Sheng SR; Liao XB; Kong GL; Han HX 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/08/12 A-SI-H  CRYSTALLINE SILICON  DEPOSITION  SPECTRA  QUALITY