机构

• 半导体研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2011 [1]
• 2006 [2]
• 2005 [1]
• 2004 [1]

学科主题

• 半导体材料 [3]
• 光电子学 [1]
• 半导体物理 [1]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Raman study of ultrathin Fe(3)O(4) films on GaAs(001) substrate: stoichiometry, epitaxial orientation and strain 期刊论文  OAI收割 journal of raman spectroscopy, JOURNAL OF RAMAN SPECTROSCOPY, 2011, 2011, 卷号: 42, 42, 期号: 6, 页码: 1388-1391, 1388-1391 作者:  Zhang, J;  Tan, PH;  Zhao, WJ;  Lu, J;  Zhao, JH   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/01/06 Raman spectroscopy  ultrathin Fe(3)O(4) film  crystal orientation  strain  phonon strain-shift coefficient  PULSED-LASER DEPOSITION  THIN-FILMS  SPIN-TRANSPORT  MAGNETITE  SEMICONDUCTORS  SPINTRONICS  SCATTERING  CORROSION  DEVICES  GROWTH  Raman Spectroscopy  Ultrathin Fe(3)o(4) Film  Crystal Orientation  Strain  Phonon Strain-shift Coefficient  Pulsed-laser Deposition  Thin-films  Spin-transport  Magnetite  Semiconductors  Spintronics  Scattering  Corrosion  Devices  Growth   Influence of cracks generation on the structural and optical properties of GaN/Al0.55Ga0.45N multiple quantum wells 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 8, 页码: 3043-3050 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：82/0  |  提交时间：2010/04/11 nitrides  multiple quantum wells  cracks  dislocations  vacancies x-ray diffraction  X-RAY-DIFFRACTION  EDGE DISLOCATIONS  GAN  FILMS  SUPERLATTICES  RELAXATION  STRAIN   Crack control in GaN grown on silicon (111) using In doped low-temperature AlGaN interlayer by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 optical materials, 2006, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 1227-1231 Wu JJ (Wu Jiejun); Han XX (Han Xiuxun); Li JM (Li Jiemin); Wei HY (Wei Hongyuan); Cong GW (Cong Guangwei); Liu XL (Liu Xianglin); Zhu QS (Zhu Qinsheng); Wang ZG (Wang Zhanguo); Jia QJ (Jia Quanjie); Guo LP (Guo Liping); Hu TD (Hu Tiandou); Wang HH (Wang Huanhua) 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/04/11 in doping  cracks  Si(111) substrate  LT-AlGaN interlayer  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  PHASE EPITAXY  INDIUM-SURFACTANT  OPTICAL-PROPERTIES  SI(111)  STRESS  FILMS   Crack-free GaN/Si(111) epitaxial layers grown with InAlGaN alloy as compliant interlayer by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 279, 期号: 3-4, 页码: 335-340 作者:  Li DB;  Wei HY;  Han XX 收藏  |  浏览/下载：58/22  |  提交时间：2010/03/17 cracks   Crack-free InAlGaN quaternary alloy films grown on Si(111) substrate by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 273, 期号: 1-2, 页码: 79-85 Wu, JJ; Li, DB; Lu, Y; Han, XX; Li, JM; Wei, HY; Kang, TT; Wang, XH; Liu, XL; Zhu, QS; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：74/0  |  提交时间：2010/03/17 cracks