机构

• 半导体研究所 [5]
• 高能物理研究所 [2]
• 物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [7]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [7]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2014 [1]
• 2008 [3]
• 2006 [2]
• 2004 [2]

学科主题

• 光电子学 [2]
• 半导体材料 [2]
• Materials ... [1]
• Materials ... [1]

筛选

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 GaN Films Grown on Si (111) Substrates Using a Composite Buffer with Low Temperature AlN Interlayer 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2014, 卷号: 31, 期号: 2 Fang, YT; Jiang, Y; Deng, Z; Zuo, P; Chen, H 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2015/04/14 Effect of indium-doped interlayer on the strain relief in GaN films grown on Si(111) 期刊论文  OAI收割 PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2008, 卷号: 205, 期号: 2, 页码: #REF! 作者:  Wu, JJ;  Zhao, LB;  Zhang, GY;  Liu, XL;  Zhu, QS 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2016/04/13 AlGaN layers grown on AlGaN buffer layer and GaN buffer layer using strain-relief interlayers - art. no. 68410S 会议论文  OAI收割 conference on solid state lighting and solar energy technologies, beijing, peoples r china, nov 12-14, 2007 Liu, NX; Yan, JC; Liu, Z; Ma, P; Wang, JX; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/03/09 AlGaN  HT-AlGaN buffer  HT-interlayers  ultraviolet (UV) LED   Effect of indium-doped interlayer on the strain relief in GaN films grown on Si(111) 期刊论文  OAI收割 physica status solidi a-applications and materials science, 2008, 卷号: 205, 期号: 2, 页码: 294-299 Wu, JJ; Zhao, LB; Zhang, GY; Liu, XL; Zhu, QS; Wang, ZG; Jia, QJ; Guo, LP; Hu, TD 收藏  |  浏览/下载：65/3  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  TEMPERATURE ALN INTERLAYERS  PHASE EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  SURFACTANT  SUBSTRATE  STRESS  SI  REDUCTION  SAPPHIRE   Crack control in GaN grown on silicon (111) using In doped low-temperature AlGaN interlayer by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 OPTICAL MATERIALS, 2006, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 1227-1231 作者:  Wu, JJ;  Han, XX;  Li, JM;  Wei, HY;  Cong, GW 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2016/06/29 in doping  cracks  Si(111) substrate  LT-AlGaN interlayer  metalorganic chemical vapor deposition  GaN   Crack control in GaN grown on silicon (111) using In doped low-temperature AlGaN interlayer by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 optical materials, 2006, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 1227-1231 Wu JJ (Wu Jiejun); Han XX (Han Xiuxun); Li JM (Li Jiemin); Wei HY (Wei Hongyuan); Cong GW (Cong Guangwei); Liu XL (Liu Xianglin); Zhu QS (Zhu Qinsheng); Wang ZG (Wang Zhanguo); Jia QJ (Jia Quanjie); Guo LP (Guo Liping); Hu TD (Hu Tiandou); Wang HH (Wang Huanhua) 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/04/11 in doping  cracks  Si(111) substrate  LT-AlGaN interlayer  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  PHASE EPITAXY  INDIUM-SURFACTANT  OPTICAL-PROPERTIES  SI(111)  STRESS  FILMS   Growth of crack-free algan film on thin aln interlayer by mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 268, 期号: 1-2, 页码: 35-40 作者:  Jin, RQ;  Liu, JP;  Zhang, JC;  Yang, H 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Crystal morphology  X-ray diffraction  Metalorganic chemical vapor deposition  Aluminium gallium nitride   Growth of crack-free AlGaN film on thin AlN interlayer by MOCVD 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 268, 期号: 1-2, 页码: 35-40 Jin RQ; Liu JP; Zhang JC; Yang H 收藏  |  浏览/下载：496/215  |  提交时间：2010/03/09 crystal morphology