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机构
西安光学精密机械研... [15]
微电子研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [16]
内容类型
专利 [16]
发表日期
2015 [2]
2014 [1]
2002 [1]
2000 [1]
1998 [1]
1996 [2]
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共16条,第1-10条
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内容类型:专利
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Photodiode integrated edge emitting laser for heat assisted magnetic recording
专利
OAI收割
专利号: US9053717, 申请日期: 2015-06-09, 公开日期: 2015-06-09
作者:
MATSUMOTO, TAKUYA
;
REN, SHEN
;
UNO, TOMOAKI
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提交时间:2019/12/23
Semiconductor device with heat removal structure and related production method
专利
OAI收割
专利号: US8994036, 申请日期: 2015-03-31, 公开日期: 2015-03-31
作者:
KRAMER, TOMAS
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提交时间:2019/12/24
三维多值非挥发存储器及其制备方法
专利
OAI收割
专利号: US8705274, 申请日期: 2014-04-22, 公开日期: 2012-01-05
作者:
霍宗亮
;
朱晨昕
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提交时间:2012/11/20
Double etalon optical wavelength reference device
专利
OAI收割
专利号: US6498800, 申请日期: 2002-12-24, 公开日期: 2002-12-24
作者:
WATTERSON, REICH
;
TAYEBATI, PARVIZ
;
MCDANIEL, DON
;
MCCALLION, KEVIN
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提交时间:2019/12/24
Laser transmitting or receiving devices and method for optically transmitting information
专利
OAI收割
专利号: US6044102, 申请日期: 2000-03-28, 公开日期: 2000-03-28
作者:
LABEYRIE, ANTOINE
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提交时间:2019/12/24
Semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: EP0493125B1, 申请日期: 1998-05-27, 公开日期: 1998-05-27
作者:
IRIKAWA, MICHINORI, THE FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD
;
IWASE, MASAYUKI, THE FURUKAWA ELECTRIC CO. LTD.,
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提交时间:2020/01/18
半導体レ-ザおよびその使用方法
专利
OAI收割
专利号: JP2529260B2, 申请日期: 1996-06-14, 公开日期: 1996-08-28
作者:
松井 輝仁
;
大塚 健一
;
杉本 博司
;
阿部 雄次
;
大石 敏之
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提交时间:2019/12/24
半導体レ-ザおよびその使用方法
专利
OAI收割
专利号: JP2526898B2, 申请日期: 1996-06-14, 公开日期: 1996-08-21
作者:
松井 輝仁
;
大塚 健一
;
杉本 博司
;
阿部 雄次
;
大石 敏之
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提交时间:2020/01/13
Gain-coupled distributed-feedback semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: US5276702, 申请日期: 1994-01-04, 公开日期: 1994-01-04
作者:
MELIGA, MARINA
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提交时间:2019/12/23
-
专利
OAI收割
专利号: JP1990006238B2, 申请日期: 1990-02-08, 公开日期: 1990-02-08
作者:
KOBAYASHI TETSUO
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提交时间:2020/01/13