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机构
半导体研究所 [6]
采集方式
OAI收割 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2011 [1]
2010 [1]
2009 [1]
2007 [1]
2006 [2]
学科主题
光电子学 [6]
筛选
浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
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限定条件
学科主题:光电子学
条数/页:
5
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80
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The investigation on carrier distribution in InGaN/GaN multiple quantum well layers
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.93117
作者:
Yang H
;
Zhu JH
;
Wang H
;
Zhang SM
;
Yang H
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浏览/下载:47/3
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提交时间:2011/07/05
DIODES
EFFICIENCY
Optical properties of InN rods on sapphire grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 138-141
作者:
Zhang SM
收藏
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浏览/下载:58/1
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提交时间:2011/07/05
BAND-GAP
INDIUM NITRIDE
TRANSPORT
EMISSION
The influence of growth temperature and input V/III ratio on the initial nucleation and material properties of InN on GaN by MOCVD
期刊论文
OAI收割
semiconductor science and technology, 2009, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: art. no. 055001
作者:
Yang H
;
Jiang DS
;
Zhao DG
;
Zhang SM
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:88/41
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提交时间:2010/03/08
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ELECTRON-TRANSPORT
BAND-GAP
FILMS
SAPPHIRE
Effect of heavy boron doping on the electrical characteristics of SiGeHBTs
期刊论文
OAI收割
semiconductor science and technology, 2007, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 890-895
Yao F (Yao Fei)
;
Xue CL (Xue Chun-Lai)
;
Cheng BW (Cheng Bu-Wen)
;
Wang QM (Wang Qi-Ming)
收藏
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浏览/下载:73/0
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提交时间:2010/03/29
HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS
Effects of grain size on the mosaic tilt and twist in InN films grown on GaN by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 9, 页码: art.no.092114
Wang H (Wang H.)
;
Huang Y (Huang Y.)
;
Sun Q (Sun Q.)
;
Chen J (Chen J.)
;
Wang LL (Wang L. L.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Zhang SM (Zhang S. M.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Wang YT (Wang Y. T.)
;
Yang H (Yang H.)
收藏
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/04/11
X-RAY-DIFFRACTION
ELECTRON-TRANSPORT
EPITAXIAL GAN
BAND-GAP
DISLOCATIONS
SAPPHIRE
ALN
Evolution of mosaic structure in InN grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 269-272
Huang Y (Huang Y.)
;
Wang H (Wang H.)
;
Sun Q (Sun Q.)
;
Chen J (Chen J.)
;
Li DY (Li D. Y.)
;
Zhang JC (Zhang J. C.)
;
Wang JF (Wang J. F.)
;
Wang YT (Wang Y. T.)
;
Yang H (Yang H.)
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/04/11
growth mode
X-ray diffraction
metalorganic chemical vapor deposition
indium nitride
X-RAY-DIFFRACTION
THREADING DISLOCATIONS
ELECTRON-TRANSPORT
BUFFER LAYER
THIN-FILMS
GAN FILMS
SAPPHIRE
ALN