中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [62]
物理研究所 [18]
上海微系统与信息技... [11]
上海光学精密机械研究... [4]
金属研究所 [3]
化学研究所 [3]
更多
采集方式
OAI收割 [100]
iSwitch采集 [16]
内容类型
期刊论文 [103]
会议论文 [9]
专利 [3]
学位论文 [1]
发表日期
2008 [116]
学科主题
半导体物理 [22]
半导体材料 [14]
光电子学 [10]
光学材料;晶体 [4]
半导体化学 [3]
无机非金属材料 [3]
更多
筛选
浏览/检索结果:
共116条,第1-10条
帮助
限定条件
发表日期:2008
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
发表日期升序
发表日期降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
Growth of c-oriented zno films on (001) smo3 substrates by mocvd
期刊论文
iSwitch采集
Journal of crystal growth, 2008, 卷号: 311, 期号: 1, 页码: 200-204
作者:
Jia, Caihong
;
Chen, Yonghai
;
Liu, Genhua
;
Liu, Xianglin
;
Yang, Shaoyan
收藏
  |  
浏览/下载:42/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Growth behavior
Srtio3
Mocvd
Zno
In Situ Epitaxial Growth of Triangular CdS Nanoplates on Mica by Dip-Pen Nanolithography
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2008, 卷号: 112, 期号: 48, 页码: 18938-18942
作者:
Chu, Haibin
;
Ding, Lei
;
Wang, Jinyong
;
Li, Xuemei
;
You, Liping
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2019/04/09
MICROSTRUCTURE CHARACTERISTICS AND CRYSTALLOGRAPHIC ORIENTATION OF TRANSIENT LIQUID PHASE JOINT OF Ni-BASED SINGLE CRYSTAL SUPERALLOY
期刊论文
OAI收割
ACTA METALLURGICA SINICA, 2008, 卷号: 44, 期号: 12, 页码: 1474-1478
作者:
Li Wen
;
Jin Tao
;
Hu Zhuangqi
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2021/02/02
Ni-based single crystal superalloy
TLP bonding
microstrcture
crystallographic orientation
Flip chip light emitting diode devices having thinned or removed substrates
专利
OAI收割
专利号: US7456035, 申请日期: 2008-11-25, 公开日期: 2008-11-25
作者:
ELIASHEVICH, IVAN
;
KOLODIN, BORIS
;
STEFANOV, EMIL P.
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2019/12/24
Epitaxial growth and luminescence properties of ZnO-based heterojunction light-emitting diode on Si(111) substrate by pulsed-laser deposition
期刊论文
OAI收割
J. Phys. D-Appl. Phys., 2008, 卷号: 41, 期号: 20
99
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2013/04/03
Growth modes, strain states, and electrical transport properties of epitaxial La0.5Sr0.5CoO3 thin films grown on buffered Si substrates
期刊论文
OAI收割
Solid State Commun., 2008, 卷号: 145, 期号: 4, 页码: 178
李效民
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2013/04/03
Preparation, microstructure and electrical properties of 0.7Pb(Mg1/3Nb2/3)O-3-0.3PbTiO(3) films on different epitaxial bottom electrodes buffered Si substrates
期刊论文
OAI收割
J. Cryst. Growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 3, 页码: 575
李效民
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2013/04/03
Method for forming underlayer composed of GaN-based compound semiconductor, GaN-based semiconductor light-emitting element, and method for manufacturing GaN-based semiconductor light-emitting element
专利
OAI收割
专利号: US7452789, 申请日期: 2008-11-18, 公开日期: 2008-11-18
作者:
OKUYAMA, HIROYUKI
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2019/12/24
Structural and electrical properties of (110) zno epitaxial thin films on (001) srtio3 substrates
期刊论文
iSwitch采集
Solid state communications, 2008, 卷号: 148, 期号: 5-6, 页码: 247-250
作者:
Wu, Yunlong
;
Zhang, Liuwan
;
Xie, Guanlin
;
Ni, Jun
;
Chen, Yonghai
收藏
  |  
浏览/下载:27/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Zno thin films
Pulsed laser deposition
Electrical resistance
Growth parameter dependence of structural characterizations of diluted magnetic semiconductor (ga, cr)as
期刊论文
iSwitch采集
Ieee transactions on magnetics, 2008, 卷号: 44, 期号: 11, 页码: 2692-2695
作者:
Lu, J.
;
Bi, J. F.
;
Wang, W. Z.
;
Gan, H. D.
;
Meng, H. J.
收藏
  |  
浏览/下载:22/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Magnetic analysis
Magnetic semiconductors
Molecular-beam epitaxial growth