机构

• 金属研究所 [2]
• 半导体研究所 [2]
• 苏州纳米技术与纳米仿... [1]
• 化学研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2011 [6]

学科主题

• 半导体材料 [1]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2011     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Defect reduction in (1 1 (2)over-bar 0) nonpolar a-plane GaN grown on r-plane sapphire using TiN interlayers 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 卷号: 327, 期号: 1, 页码: 94-97 Xu, SR; Zhang, JC; Yang, LA; Zhou, XW; Cao, YR; Zhang, JF; Xue, JS; Liu, ZY; Ma, JC; Bao, F (包峰); Hao, Y 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/08/24 VAPOR-PHASE EPITAXY  LIGHT-EMITTING-DIODES  OVERGROWTH   Formation of Bilayer Bernal Graphene: Layer-by-Layer Epitaxy via Chemical Vapor Deposition 期刊论文  OAI收割 NANO LETTERS, 2011, 卷号: 11, 期号: 3, 页码: 1106-1110 作者:  Yan, Kai;  Peng, Hailin;  Zhou, Yu;  Li, Hui;  Liu, Zhongfan   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/04/09 Graphene  Bilayer  Bernal Stacking  Cvd  Epitaxy  Band Gap Opening   Interfacial structure of V2AlC thin films deposited on (11(2)over-bar0)-sapphire 期刊论文  OAI收割 SCRIPTA MATERIALIA, 2011, 卷号: 64, 期号: 4, 页码: 347-350 作者:  Sigumonrong, Darwin P.;  Zhang, Jie;  Zhou, Yanchun;  Music, Denis;  Emmerlich, Jens   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2021/02/02 MAX-phase thin film  TEM  Epitaxial growth  Ab initio calculation   Interfacial structure of V(2)AlC thin films deposited on (11(2)over-bar0)-sapphire 期刊论文  OAI收割 Scripta Materialia, 2011, 卷号: 64, 期号: 4, 页码: 347-350 D. P. Sigumonrong; J. Zhang; Y. C. Zhou; D. Music; J. Emmerlich; J. Mayer; J. M. Schneider 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/04/13 MAX-phase thin film  TEM  Epitaxial growth  Ab initio calculation  ti-al-c  electronic-structure  m(n+1)ax(n) phases  ge  gas   First principles study of the electronic properties of twinned SiC nanowires 期刊论文  OAI收割 journal of nanoparticle research, JOURNAL OF NANOPARTICLE RESEARCH, 2011, 2011, 卷号: 13, 13, 期号: 1, 页码: 185-191, 185-191 作者:  Wang ZG;  Wang SJ;  Zhang CL;  Li JB;  Wang, ZG, Univ Elect Sci & Technol China. , Dept Appl Phys, Chengdu 610054, Peoples R China. zgwang@uestc.edu.cn   |  收藏  |  浏览/下载：100/6  |  提交时间：2011/07/05 Twinned SiC nanowires  Electronic properties  Ab initio  Modeling and simulation  SILICON-CARBIDE NANOWIRES  FIELD-EMISSION PROPERTIES  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  INAS NANOWIRES  GROWTH  NANOTUBES  NITRIDE  DIFFUSION  NANORODS  ENERGY  Twinned Sic Nanowires  Electronic Properties  Ab Initio  Modeling And Simulation  Silicon-carbide Nanowires  Field-emission Properties  Molecular-beam Epitaxy  Inas Nanowires  Growth  Nanotubes  Nitride  Diffusion  Nanorods  Energy   Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 2011, 卷号: 314, 314, 期号: 1, 页码: 141-145, 141-145 作者:  Wei TB;  Yang JK;  Hu Q;  Duan RF;  Huo ZQ   |  收藏  |  浏览/下载：76/4  |  提交时间：2011/07/05 CL  PL  Stacking fault  HVPE  GaN  Nonpolar  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ACCEPTOR PAIR EMISSION  PHASE EPITAXY  GROWN GAN  SEMICONDUCTORS  SAPPHIRE  FILMS  NITRIDE  Cl  Pl  Stacking Fault  Hvpe  Gan  Nonpolar  Chemical-vapor-deposition  Acceptor Pair Emission  Phase Epitaxy  Grown Gan  Semiconductors  Sapphire  Films  Nitride