机构

• 半导体研究所 [13]

采集方式

• OAI收割 [13]

内容类型

• 期刊论文 [12]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2007 [1]
• 2006 [4]
• 2003 [2]
• 2002 [1]
• 2001 [1]
• 1999 [3]
• 更多

学科主题

• 半导体物理 [13]

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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Continuous weak measurement and feedback control of a solid-state charge qubit: A physical unravelling of non-Lindblad master equation 期刊论文  OAI收割 physical review b, 2007, 卷号: 75, 期号: 15, 页码: art.no.155304 Wang, SK (Wang, Shi-Kuan); Jin, JS (Jin, Jinshuang); Li, XQ (Li, Xin-Qi) 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/03/29 ADAPTIVE PHASE MEASUREMENTS   Influence of growth parameters of frequency-radio plasma nitrogen source on extending emission wavelengths from 1.31 mu m to 1.55 mu m GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular-beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 1005-1008 作者:  Yang XH 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/04/11 LASERS  TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE   Quantum coherence control of solid-state charge qubit by means of a suboptimal feedback algorithm 期刊论文  OAI收割 physical review b, 2006, 卷号: 73, 期号: 23, 页码: art.no.233302 Jin JS (Jin Jinshuang); Li XQ (Li Xin-Qi); Yan YJ (Yan YiJing) 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/04/11 DOT  DETECTOR  SYSTEMS  SPIN   Optical properties of inGaAs/GaAs quantum wells grown by Sb-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 288, 期号: 1, 页码: 40529 作者:  Wu DH;  Niu ZC;  Jiang DS;  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：81/0  |  提交时间：2010/04/11 molecular beam epitaxy  quantum wells  semiconducting III-V materials  MU-M  LASERS  TEMPERATURE  SURFACTANT  NM   Quantum measurement of single electron state by a quantum point contact 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2006, 卷号: 55, 期号: 7, 页码: 3259-3264 Hu XN (Hu Xue-Ning); Li XQ (Li Xin-Qi) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/04/11 quantum measurement  qubit  detailed balance  delocalization  DOT  DIFFUSION  DETECTOR   A method to obtain ground state electroluminescence from 1.3 mu m emitting InAs/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 chinese physics, 2003, 卷号: 12, 期号: 1, 页码: 97-99 Kong YC; Zhou DY; Lan Q; Liu JL; Miao ZH; Feng SL; Niu ZC 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  electroluminescence  state filling effect  OPTICAL-PROPERTIES  WAVELENGTH  EMISSION  LASER  GAAS  DEPENDENCE  LAYER   Structure and photoluminescence study of InGaAs/GaAs quantum dots grown via cycled (InAs)(n)/(GaAs)(n) monolayer deposition 期刊论文  OAI收割 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2003, 卷号: 42, 期号: 3, 页码: 1154-1157 He J; Wang XD; Xu B; Wang ZG; Qu SC 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 MBE  InGaAs/GaAs  quantum dots  photoluminescence  morphology  MU-M  WELL STRUCTURES  GAAS  LASERS  TEMPERATURE  STATES  INP   Occupation modulation of higher subbands in a three-barrier tunnelling structure with a magnetic field 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2002, 卷号: 19, 期号: 10, 页码: 1509-1512 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 QUANTUM-WELLS  SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES  POPULATION-INVERSION  TUNNELING STRUCTURE  ELECTRON  EMISSION  LASER   Substrate dependence of InGaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of vacuum science & technology b, 2001, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 197-201 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：98/6  |  提交时间：2010/08/12 ORIENTED GAAS  INAS ISLANDS  HIGH-INDEX  SURFACES  TEMPERATURE  TOPOGRAPHY  STRAIN  LASER   New way to enhance the uniformity of self-organized InAs quantum dots 会议论文  OAI收割 25th international symposium on compound semiconductors, nara, japan, oct 12-16, 1998 Zhu HJ; Wang H; Wang ZM; Cui LQ; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  THRESHOLD  GROWTH  LASER