机构

• 半导体研究所 [12]

采集方式

• OAI收割 [11]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [11]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2010 [1]
• 2005 [2]
• 2003 [1]
• 2002 [2]
• 2000 [1]
• 1999 [1]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [6]
• 半导体物理 [4]
• 光电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Effective recombination velocity of textured surfaces 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 19, 页码: art. no. 193107 Xiong KL (Xiong Kanglin); Lu SL (Lu Shulong); Jiang DS (Jiang Desheng); Dong JR (Dong Jianrong); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：119/3  |  提交时间：2010/06/04 carrier lifetime  numerical analysis  semiconductor thin films  surface recombination  surface texture   Qe and suns-v-oc study on the epitaxial csitf solar cells 期刊论文  iSwitch采集 Science in china series e-engineering & materials science, 2005, 卷号: 48, 期号: 1, 页码: 41-52 作者:  Bin, A;  Shen, H;  Ban, Q;  Liang, ZC;  Chen, RL 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Ssp ribbon  Crystalline silicon thin film solar cells  Quantum efficiency  Dark characteristics   QE and Suns-V-oc study on the epitaxial CSiTF solar cells 期刊论文  OAI收割 science in china series e-engineering & materials science, 2005, 卷号: 48, 期号: 1, 页码: 41-52 Bin A; Shen H; Ban Q; Liang ZC; Chen RL; Shi ZR; Liao XB 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/03/17 SSP ribbon   Optical investigation on the annealing effect and its mechanism of GaInAs/GaNAs quantum wells 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 155-160 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/08/12 interdiffusion  post-annealing  quantum wells  GaInNAs/GaAs  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CARRIER LOCALIZATION  GAINNAS  LUMINESCENCE  ORIGIN  GAASN   Influence of strain on annealing effects of In(Ga)As quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 244, 期号: 2, 页码: 136-141 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 low dimensional structures  strain  molecular beam epitaxy  quantum dots  ELECTRONIC-STRUCTURE  PHOTOLUMINESCENCE  INTERDIFFUSION  TRANSITIONS  SPECTRA   Effects of annealing on properties of spin-valve pinned with FeMn alloy 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2002, 卷号: 51, 期号: 8, 页码: 1846-1850 Chai CL; Teng J; Yu GH; Zhu FW; Lai WY; Xiao JM 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/08/12 annealing  spin-valve  diffusion along grain boundary  TEMPERATURE-DEPENDENCE  MAGNETORESISTANCE  FILMS  COERCIVITY  FIELD  BIAS  NIO   Effect of rapid thermal annealing on InGaAs/GaAs quantum wells 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 1-2, 页码: 352-355 Zhuang QD; Li JM; Zeng YP; Yoon SF; Zheng HQ; Kong MY; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/08/12 annealing  InGaAs/GaAs  quantum wells  interdiffusion  quantum dots  MBE  DOT SUPERLATTICE   Strain-induced morphological evolution and preferential interdiffusion in SiGe epitaxial film on Si(100) during high-temperature annealing 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 期号: 0, 页码: 556-559 Liu JP; Kong MY; Liu XF; Li JP; Huang DD; Li LX; Sun DZ 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/08/12 strain relaxation  Si SiGe  interdiffusion  morphological evolution  QUANTUM DOTS  RELAXATION  INAS  STRANSKI-KRASTANOW GROWTH   Annealing behavior of InAs/GaAs quantum dot structures 期刊论文  OAI收割 journal of electronic materials, 1998, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: 59-61 Wang ZM; Feng SL; Lu ZD; Zhao Q; Yang XP; Chen ZG; Xu ZY; Zheng HZ 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/08/12 annealing  InAs/GaAs  quantum dots  BOX ISLANDS  GAAS  INTERDIFFUSION  GAAS(100)  GROWTH  THRESHOLD  INGAAS  STRAIN  SCALE  OPTICAL-PROPERTIES   The enhancement of diffusion by strain of InAs quantum dots in a GaAs matrix 期刊论文  OAI收割 physics of low-dimensional structures, 1997, 卷号: 12, 期号: 0, 页码: 219-225 Wang ZM; Feng SL; Lu ZD; Zhao Q; Yang XP; Chen ZG; Xu ZY; Zheng HZ 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 GROWTH  INTERDIFFUSION  ISLANDS  SCALE