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采集方式
OAI收割 [3962]
内容类型
专利 [3962]
发表日期
2005 [53]
2003 [50]
2000 [77]
1999 [107]
1998 [94]
1997 [136]
更多
学科主题
半导体材料 [6]
半导体物理 [4]
光电子学 [1]
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共3962条,第1-10条
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内容类型:专利
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全光固体超快探测芯片和全光固体超快探测器
专利
OAI收割
专利号: CN201921026323.2, 申请日期: 2020-04-03, 公开日期: 2020-04-03
作者:
汪韬
;
高贵龙
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提交时间:2020/12/25
一种底部发射型VCSEL芯片及其制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN110265872A, 申请日期: 2019-09-20, 公开日期: 2019-09-20
作者:
窦志珍
;
曹广亮
;
刘留
;
苏小平
;
韩春霞
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2019/12/30
一种垂直腔面发射激光器及光谱检测仪
专利
OAI收割
专利号: CN110247303A, 申请日期: 2019-09-17, 公开日期: 2019-09-17
作者:
张星
;
周寅利
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/12/30
GaAs衬底的分布布拉格反射镜的制备方法
专利
OAI收割
专利号: CN110224299A, 申请日期: 2019-09-10, 公开日期: 2019-09-10
作者:
赵勇明
;
杨国文
;
张艳春
;
赵卫东
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提交时间:2019/12/30
基于GaAs衬底的分布布拉格反射镜的制备方法
专利
OAI收割
专利号: CN110212409A, 申请日期: 2019-09-06, 公开日期: 2019-09-06
作者:
赵勇明
;
杨国文
;
张艳春
;
赵卫东
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提交时间:2019/12/30
用於掃頻源光學相干層析成像系統的波長可調諧垂直腔面發射激光器
专利
OAI收割
专利号: HK1224090A1, 申请日期: 2019-08-30, 公开日期: 2019-08-30
作者:
T.牧野
;
T.李
;
D.尤
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提交时间:2019/12/24
单颗可变色阵列型VCSEL芯片及其制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN110190515A, 申请日期: 2019-08-30, 公开日期: 2019-08-30
作者:
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提交时间:2019/12/30
制备分布布拉格反射镜的方法及垂直腔面发射激光器
专利
OAI收割
专利号: CN110190513A, 申请日期: 2019-08-30, 公开日期: 2019-08-30
作者:
赵勇明
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提交时间:2019/12/30
DBR的制备方法及GaAs基VCSEL
专利
OAI收割
专利号: CN110190512A, 申请日期: 2019-08-30, 公开日期: 2019-08-30
作者:
赵勇明
;
杨国文
;
张艳春
;
赵卫东
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提交时间:2019/12/30
等离子体刻蚀方法及垂直腔面发射激光器制备方法
专利
OAI收割
专利号: CN110176398A, 申请日期: 2019-08-27, 公开日期: 2019-08-27
作者:
张鹏
;
许聪基
;
赖铭智
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提交时间:2019/12/30