机构

• 半导体研究所 [29]

采集方式

• OAI收割 [29]

内容类型

• 期刊论文 [28]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2011 [1]
• 2010 [3]
• 2009 [2]
• 2008 [2]
• 2005 [3]
• 2004 [4]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [29]

筛选

浏览/检索结果: 共29条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Effect of antimony irradiation on InAs/Sb:GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75010 作者:  Yang T;  Yang XG;  Wang KF 收藏  |  浏览/下载：63/2  |  提交时间：2011/07/05 HIGH-DENSITY  TEMPERATURE-DEPENDENCE  SELF-FORMATION  LAYERS  WELL  MBE   InN layers grown by MOCVD on SrTiO3 substrates 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 312 (3): jan 15 2010, 2010, 卷号: 312, 期号: 3, 页码: 373-377 作者:  Jia CH;  Zhou XL 收藏  |  浏览/下载：116/26  |  提交时间：2010/04/13 TiO3  Growth behavior  MOCVD  InN 了CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE EPITAXY  PRESSURE   Electron concentration dependence of exciton localization and freeze-out at local potential fluctuations in InN films 期刊论文  OAI收割 applied physics a-materials science & processing, 2010, 卷号: 99, 期号: 1, 页码: 139-143 Liu B; Zhang Z; Zhang R; Fu DY; Xie ZL; Lu H; Schaff WJ; Song LH; Cui YC; Hua XM; Han P; Zheng YD; Chen YH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：196/52  |  提交时间：2010/04/28 BAND-GAP  TEMPERATURE-DEPENDENCE  ENERGY  SEMICONDUCTORS  SPECTRA  EPITAXY  GROWTH  LAYERS   Electroluminescence behavior of ZnO/Si heterojunctions: Energy band alignment and interfacial microstructure 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 8, 页码: art. no. 083701 作者:  Tan HR;  Yin ZG;  You JB;  Zhang SG;  Zhang XW 收藏  |  浏览/下载：145/29  |  提交时间：2010/05/24 LIGHT-EMITTING-DIODES  SPECTROSCOPY  EPITAXY  GROWTH  FILM  SIO2   Growth of (10(1)over-bar(3)over-bar) semipolar GaN on m-plane sapphire by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 17, 页码: 4153-4157 作者:  Wei TB;  Wei XC;  Duan RF 收藏  |  浏览/下载：84/6  |  提交时间：2010/03/08 HRXRD  PL  Stacking fault  HVPE  GaN  Semipolar   Growth behavior of AlInGaN films 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 3, 页码: 474-477 Shang JZ; Zhang BP; Mao MH; Cai LE; Zhang JY; Fang ZL; Liu BL; Yu JZ; Wang QM; Kusakabe K; Ohkawa K 收藏  |  浏览/下载：216/66  |  提交时间：2010/03/08 Scanning electron microscope  Strain  X-ray diffraction  AlInGaN   Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC Films on Maskless Patterned Silicon Substrates 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 7, 页码: 1254-1257 作者:  Liu Xingfang;  Ning Jin;  Zhao Yongmei 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/23 Growth of c-oriented ZnO films on (001) SMO3 substrates by MOCVD 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2008, 卷号: 311, 期号: 1, 页码: 200-204 作者:  Jia CH 收藏  |  浏览/下载：253/27  |  提交时间：2010/03/08 Growth behavior  SrTiO3  MOCVD  ZnO   Optical and magnetic properties of ZnS nanoparticles doped with Mn2+ 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 282, 期号: 1-2, 页码: 179-185 Peng, WQ; Qu, SC; Cong, GW; Zhang, XQ; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：70/25  |  提交时间：2010/03/17 nanostructures   Effects of different modified underlayer surfaces on growth and optical properties of InGaN quantum dots 期刊论文  OAI收割 vacuum, 2005, 卷号: 77, 期号: 3, 页码: 307-314 Han, XX; Li, JM; Wu, JJ; Wang, XH; Li, DB; Liu, XL; Han, PD; Zhu, QS; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/03/17 nanostructure